英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司

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4月1日，英諾賽科在港交所公告，公司與意法半導體簽署了一項基于氮化鎵功率技術開發(fā)與制造的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，擬在未來幾年內(nèi)共同推動該技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領域的應用。根據(jù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區(qū)的制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓，意法半導體也可利用英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。

1月16日，英諾賽科公告，公司及公司全資附屬公司英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（統(tǒng)稱原告）已向中國江蘇省蘇州市中級人民法院起訴英飛凌科技（中國）有限公司（被告一）、英飛凌科技（無錫）有限公司（被告二）及蘇州芯沃科電子科技有限公司（被告三），就202311774650.7號專利提交起訴狀《(2024)蘇05民初1430號》及就202211387983.X號專利提交起訴狀《(2024)蘇05民初143

12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司于港交所成功掛牌上市。其IPO發(fā)行價每股30.86港元，開盤價每股31.00港元，總市值達295.40億港元（約合277.67億元人民幣）。該公司由曾任NASA首席科學家的駱薇薇創(chuàng)立，專注于氮化鎵（GaN）技術，在7年內(nèi)獲得超60億元融資，寧德時代董事長曾毓群曾于2021年以個人名義投資。英諾賽科擁有全球最大氮化鎵功率半導體生產(chǎn)基地，是全球首家實現(xiàn)8英