英諾賽科與意法半導體合作開發(fā)氮化鎵技術
4月1日,英諾賽科在港交所公告,公司與意法半導體簽署了一項基于氮化鎵功率技術開發(fā)與制造的聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,擬在未來幾年內(nèi)共同推動該技術在消費電子、數(shù)據(jù)中心、汽車及工業(yè)電源系統(tǒng)等領域的應用。根據(jù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議,英諾賽科可使用意法半導體在中國以外地區(qū)的制造產(chǎn)能生產(chǎn)其氮化鎵晶圓,意法半導體也可利用英諾賽科在中國的制造產(chǎn)能生產(chǎn)其自有的氮化鎵晶圓。
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