傳三星明日量產(chǎn)3nm GAA制程！上海磐矽為首批客戶

6月29日消息，據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道稱，三星將于明日（6月30日）宣布正式量產(chǎn)3nm GAA制程。

TheElec則援引消息人士的話透露稱，已有客戶向三星訂購3nnm晶圓代工，第一個客戶是大陸加密貨幣挖礦機(jī)芯片廠上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司；此外，三星的大客戶高通也下單生產(chǎn)3nm芯片，但會視情況投片。

資料顯示，上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司成立于2016年3月，注冊資本4500萬元人民幣，經(jīng)營范圍包括：從事電子元器件的研發(fā)、銷售，集成電路的研發(fā)、銷售，芯片的設(shè)計、研發(fā)、銷售以及系統(tǒng)集成，從事計算機(jī)科技、智能科技、網(wǎng)絡(luò)科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)咨詢、技術(shù)轉(zhuǎn)讓，計算機(jī)軟硬件、計算機(jī)系統(tǒng)集成的研發(fā)、銷售，從事貨物與技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。

不過，芯智訊并未找到更多的相關(guān)資料，該公司官網(wǎng)也僅有一個展示頁面，稱公司總部位于上海，是一家設(shè)計能力為28nm、16nm和10nm ASIC的高科技初創(chuàng)公司，專注于數(shù)字加密貨幣和Al應(yīng)用的ASIC設(shè)計。企查查上顯示的企業(yè)參保人數(shù)也僅有 3 人。

在晶圓代工市場，三星一直力圖在先進(jìn)制程的量產(chǎn)進(jìn)度上超越臺積電。去年10月，三星就宣布將搶先臺積電在今年上半年量產(chǎn)3nm工藝。同時，為了在技術(shù)上也能夠超越臺積電，三星也率先將全新的GAA（Gate-all-around，環(huán)繞柵極）架構(gòu)引入到了3nm工藝當(dāng)中。相比之下，臺積電的3nm工藝仍延續(xù)了此前的FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）架構(gòu)，而量產(chǎn)時間則是在今年下半年。

根據(jù)三星此前透露的數(shù)據(jù)顯示，采用GAA晶體管技術(shù)的 3nm 制程工藝，與目前FinFET架構(gòu)的5nm相比，性能將提升 30%，能耗降可低 50%，邏輯面積效率提升超過45%。

不過，今年2月，三星的4nm、3nm先進(jìn)制程工藝被曝“良率造假”。隨后，根據(jù)韓國媒體Business Post今年4月的爆料顯示，當(dāng)時今年年初三星4nm工藝良率僅35%，相比之下，臺積電4nm制程良率則高達(dá)約70%，這也使得高通將改良版的驍龍8＋ 交給了臺積電4nm代工。而3nm GAA 架構(gòu)制程的良率今年年初時僅10%~20%。

三星隨后駁斥了這種說法，表示良率問題并不存在，量產(chǎn)時間也會照計劃進(jìn)行。

本月，韓國知名芯片分析師、HMC 投資證券公司研究中心主管Greg Roh 接受采訪時表示，三星3nm制程良率提升速度遠(yuǎn)高于市場預(yù)期，新增客戶速度相當(dāng)快。

若三星明日搶先宣布 3nm 制程制程工藝的量產(chǎn)的話，那么則意味著三星可能已經(jīng)解決了良率問題，搶先臺積電量產(chǎn)3nm制程。另外，根據(jù)三星的計劃，繼3nm GAA工藝量產(chǎn)之后，還將在2023年推出第二代 3nm GAA制程工藝，并在 2025 年量產(chǎn)2nm GAA制程工藝。

編輯：芯智訊-浪客劍