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          19歲天才少年自制CPU!1200個(gè)晶體管,純手工打造

          共 3153字,需瀏覽 7分鐘

           ·

          2021-09-11 17:02

          特別智庫(kù)顧問指導(dǎo),資深權(quán)威專家把關(guān)



          《衛(wèi)星與網(wǎng)絡(luò)》雜志

          百尺竿頭更進(jìn)一步

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          北京呼風(fēng)喚雨文化傳媒有限公司




          一個(gè)人,到底能”肝“到什么程度?
           
          19歲”天才少年“或許給了這個(gè)問題一個(gè)完美的詮釋:
           
          耗時(shí)整整3年,純手工自制CPU!
           
           
          這位叫做 Sam Zeloof 的美國(guó)大學(xué)生,最終打造出1200個(gè)晶體管的CPU!
           
          在10微米的多晶硅柵極工藝上實(shí)現(xiàn),命名為Z2。
           
          重點(diǎn)是,與英特爾上世紀(jì)70年代聞名于世的處理器4004使用了相同技術(shù)。
           



          PS排陣列,車庫(kù)自制,超越”摩爾定律“


          這款Z2芯片由第一代升級(jí)而來。
           
          18年,17歲的他曾制作了首個(gè)集成電路Z1,有6個(gè)晶體管。
           
           
          和以前一樣,整個(gè)過程在他的”車庫(kù)工廠“進(jìn)行,使用不純的化學(xué)品,自制的設(shè)備,沒有無塵室。
           
          首先,Zeloof 在 Photoshop 中布局了一個(gè)簡(jiǎn)單的 10x10 晶體管陣列。
           
           
          一列中的10個(gè)晶體管共享一個(gè)共同的柵極連接,每行串聯(lián)在一起,與相鄰的晶體管共享一個(gè)源極/漏極。
           
           
          單個(gè)10微米 NMOS 晶體管樣子如下,金屬層有些不對(duì)齊,紅色的輪廓是多晶硅,藍(lán)色是源極/漏極。
           
           
          之前,Zeloof 一直采用金屬柵極工藝制作。
           
          鋁柵極是與其下面的硅溝道具有很大的功函數(shù)差異,從而導(dǎo)致高閾值電壓(>10V)。
           
          比如,吉他失真踏板和環(huán)形振蕩器 LED 閃光器,由于這兩種材料閾值電壓值高,都需要一個(gè)或兩個(gè) 9V 電池來運(yùn)行電路。
           
           
          為了節(jié)省功耗,Zeloof 選用多晶硅柵極工藝,性能得到提升,自對(duì)準(zhǔn)柵極就不會(huì)產(chǎn)生高閾值電壓。
           
          這使得這些芯片與2.5V 和3.3V 邏輯電平兼容。
           
           
          圖紙?jiān)O(shè)計(jì)好后,接著切割晶片,對(duì)多晶硅柵極進(jìn)行蝕刻。
           
           
          Zeloof改進(jìn)了工藝流程,采用自對(duì)準(zhǔn)方法,選擇高溫?cái)U(kuò)散而不是離子注入進(jìn)行摻雜。
           
           
          因?yàn)楣杵弦呀?jīng)有了各種材料,所以他只需要找到一層薄薄的 SiO2 (大約10nm) ,然后是厚一點(diǎn)的多晶硅 (300nm)。
           
          結(jié)果顯示,Z2 比 Z1 有了飛躍性的進(jìn)步。
           
          改用多晶硅柵極工藝大大降低了功耗,但由于沒有純凈的化學(xué)品和沒有潔凈室,產(chǎn)量很低。
           

          Zeloof 表示,”我已經(jīng)做了15個(gè)芯片(1500個(gè)晶體管),并知道至少有一個(gè)完全功能的芯片和至少兩個(gè)大部分功能,這意味著良率低于 80%,而不是100%?!?/span>
           
          視頻開篇,Zeloof 調(diào)侃自己車庫(kù)造芯超越摩爾定律。
           
           
          網(wǎng)友還順便嘲笑了”擠牙膏“廠英特爾,到了2025年
           
           
          Zeloof :我終于做到了5nm。
           
          英特爾:這是我們最新的10nm+++++++ 工藝。


          極客少年,造芯夢(mèng)


          那么,2018年,Sam Zeloof 究竟做了什么?
           
          盡管CPU芯片制造門檻越來越高,但天才少年Zeloof并沒有放棄夢(mèng)想。
           
           
          2018年,17歲的他還只是一名高三學(xué)生,但他已經(jīng)成功制作了首個(gè)集成電路Z1,擁有6個(gè)晶體管,使用5微米的PMOS工藝。
           
           
          在接受The Amp Hour采訪時(shí),Zeloof提到此次發(fā)明的靈感源自于YouTube頻道,Jeri Ellsworth在個(gè)人頻道中演示了如何不用特殊工具來切割硅片、自制硅晶體管的方法。
           
           
          受此啟發(fā),Zeloof計(jì)劃在Jeri Ellsworth的基礎(chǔ)上來制作集成電路。
           
           
          這樣一位傳奇的少年,可以說是一位資深的電子愛好者。
           
          他在高中時(shí)就開始自己制作芯片,并在家里學(xué)習(xí)了制造芯片所需的信息和機(jī)器。

          他從eBay上買來零部件和材料,打造成一個(gè)半導(dǎo)體制造實(shí)驗(yàn)室。

          這位才華橫溢的少年認(rèn)為,嘗試制造芯片是一種了解半導(dǎo)體和晶體管內(nèi)部運(yùn)作情況的方法。

           
          從2017年起,他開始在博客介紹自己的項(xiàng)目,Zeloof收到了很多積極的反饋。
           
          一些上世紀(jì)70年代的資深工程師也為Zeloof提供了很多建議,希望他能開發(fā)出一種相對(duì)簡(jiǎn)單的方法,克隆4004芯片技術(shù),從而更好的為自己開發(fā)芯片服務(wù)。
           
          Zeloof表示,”我開始閱讀舊書,研究一些舊的專利,因?yàn)樾聲榻B的制作流程需要非常昂貴的設(shè)備。“
           
          最后,獻(xiàn)上Sam Zeloof 自制CPU視頻。

          網(wǎng)友驚呼,超越摩爾定律!

           


          參考資料:

          https://twitter.com/szeloof/status/1426320038072659971

          https://3g.163.com/dy/article/EHLUBPOQ053718W3.html

          https://www.cnbeta.com/articles/tech/1167553.htm





          本文轉(zhuǎn)載自“直觀學(xué)機(jī)械”,原標(biāo)題《19歲天才少年自制CPU!1200個(gè)晶體管,純手工打造》,素材 | 新智元、Twitter

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