三星將于下周展示全球首款3nm芯片，3納米芯片時代即將到來

稿源：cnBeta

在幾周前宣布開啟 3nm 環(huán)柵晶體管芯片生產(chǎn)后，這家韓國電子科技巨頭又將于下周展示首款 GAA 芯片。與當(dāng)前 5nm 工藝相比，3nm GAA 可在收縮尺寸的同時，帶來更低的功耗和更高的性能，未來的 Galaxy S 等旗艦設(shè)備有望獲益于此。同時競爭對手臺積電也于本月開啟了 3nm FinFET 生產(chǎn)，但 GAA 芯片要到 2025 年推出。

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目前尚不清楚三星 3nm GAA 會從臺積電那邊挖來多少客戶，但從紙面參數(shù)來看，其較 5nm 工藝的升級迭代還是相當(dāng)亮眼的。

對于移動設(shè)備來說，環(huán)柵晶體管將帶來能效的顯著提升和尺寸縮進(jìn)，從而延長電池的續(xù)航。

此外 GAA 的設(shè)計靈活性，意味其非常有利于設(shè)計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化（DTCO），以及提升功耗、性能和面積（PPA）優(yōu)勢。

具體說來是，初代 3nm 工藝比 5nm 節(jié)能高達(dá) 45%，提升 23% 性能、并減少 16% 的芯片面積。

而二代 3nm 工藝有望降低 50% 功耗，性能提升 30%、并縮減 35% 的芯片面積。

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三星仍在努力提升其 3nm 芯片的產(chǎn)能以實(shí)現(xiàn)盈利

即便如此，三星仍面臨著臺積電的直接挑戰(zhàn)。當(dāng)前蘋果 iPhone、iPad、Mac 設(shè)備上使用的所有 A / M 系列芯片，都是交給 TSMC 代工的。

更尷尬的是，即使 2022 下半年被諸多 Android 旗艦智能機(jī)提供支撐的高通驍龍 8 Gen 1 升級款（Snapdragon 8+ Gen 1），也從三星換成了臺積電代工。

據(jù)悉，三星原本計劃在 Galaxy S22 上采用自研旗艦芯片，但可惜遇到了過熱的問題，最終只能節(jié)流以緩和性能體驗(yàn)。

至于未來是否還有基于 3nm GAA 環(huán)柵晶體管技術(shù)的新規(guī)劃，目前暫不得而知。

最后，來自韓國的一份報告稱，三星已安排于 7 月 25 日舉辦首款 3nm 芯片的發(fā)布儀式。

然而首個買家卻是一家加密貨幣挖礦企業(yè)，這類客戶顯然難以幫助三星從臺積電那里搶來更多業(yè)務(wù)。

在三星宣布開啟3納米生產(chǎn)后，關(guān)于臺積電同款工藝的消息也層出不窮，有所謂業(yè)內(nèi)人士爆料現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，只不過產(chǎn)能十分有限，蘋果A16、驍龍8Gen2都無緣采用。未來三星仍然主推4nm及其升級版本，完全實(shí)現(xiàn)3nm工藝制程要等到明年下半年，時間還比較長。

臺積電相關(guān)負(fù)責(zé)人在近期會議上指出“對于市場傳聞暫時不做評論”，但可以肯定2nm工藝制程會在2024年進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)，2025年實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

臺積電在代工制造領(lǐng)域歷來領(lǐng)先三星，準(zhǔn)備在今年晚些時候開始3nm量產(chǎn)。但該公司將繼續(xù)使用FinFET架構(gòu)再發(fā)展一代。預(yù)計在2025年轉(zhuǎn)向使用2nm芯片的GAAFET。

然而，臺積電的芯片技術(shù)歷來優(yōu)于三星。它的解決方案能提供更好的整體性能，并且比韓國公司的競爭解決方案更節(jié)能。臺積電的芯片在熱管理方面也做得非常好。因此，三星希望縮小與主要競爭對手的差距。