美國(guó)對(duì)華“組合拳”顯成效？傳三星、SK海力士重新評(píng)估對(duì)華投資，或轉(zhuǎn)向美國(guó)

8月4日消息，據(jù)美國(guó)白宮當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三（3日）發(fā)布公告，美國(guó)總統(tǒng)拜登將于當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月9日簽署價(jià)值約527億美元的芯片補(bǔ)貼法案，包括為晶圓廠提供價(jià)值約240億美元的投資稅收抵免。拜登表示，“該法案有助于我們?yōu)槊绹?guó)本土半導(dǎo)體制造注入活力”。

需要指出的是，該法案也明確要求獲得美國(guó)“芯片法案”補(bǔ)貼支持的半導(dǎo)體企業(yè)，在未來十年內(nèi)禁止在中國(guó)大陸新建或擴(kuò)建先進(jìn)制程的半導(dǎo)體工廠。此舉或?qū)⑹沟门_(tái)積電、三星、英特爾、環(huán)球晶圓等眾多已經(jīng)或正計(jì)劃在美國(guó)投資的廠商陷入兩難，因?yàn)榻邮苎a(bǔ)貼，將導(dǎo)致其后續(xù)在中國(guó)大陸的投資受阻。

在“芯片法案”即將落地的同時(shí)，近期美國(guó)為限制中國(guó)大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展還打出一套“組合拳”。一方面，對(duì)中國(guó)大陸禁售14nm及以下先進(jìn)制程設(shè)備，同時(shí)爆料還顯示，美國(guó)還將對(duì)中國(guó)大陸禁售128層3D NAND制造所需的設(shè)備。這也意味著，即使臺(tái)積電、三星、SK海力士等芯片制造商未來即使想在中國(guó)大陸發(fā)展先進(jìn)也將受限。

此外，美國(guó)還計(jì)劃對(duì)中國(guó)大陸禁售與GAA（環(huán)繞柵極）相關(guān)的EDA工具，這將限制中國(guó)大陸芯片設(shè)計(jì)廠商向尖端制程發(fā)展，等于是阻斷了臺(tái)積電、三星、英特爾獲取來自中國(guó)客戶的尖端制程芯片的訂單。

在此背景之下，將進(jìn)一步迫使臺(tái)積電、三星、SK海力士等芯片制造商重新考慮未來在中國(guó)大陸的投資布局計(jì)劃，并將其吸引到對(duì)美國(guó)的投資。

據(jù)金融時(shí)報(bào)當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月3日?qǐng)?bào)道，受美國(guó)芯片法案限制條款及美國(guó)持續(xù)限制大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的背景之下，韓國(guó)三星電子和SK海力士開始重新評(píng)估中國(guó)大陸投資案。

資料顯示，三星西安NAND Flash閃存工廠是三星唯一的海外閃存工廠。其中，三星西安閃存工廠一期項(xiàng)目（第一工廠）于2012 年9 月開工，2014 年5 月投產(chǎn)，預(yù)計(jì)總投資為70 億美元，但隨后在一期項(xiàng)目進(jìn)行擴(kuò)建后，使得整體投資金額達(dá)到了108.7 億美元。

2017年8月30日，三星決定投資70億美元在西安高新區(qū)進(jìn)行二期項(xiàng)目建設(shè)，即建設(shè)第二座12吋NAND Flash晶圓廠，隨后在2019年12月，三星計(jì)劃再投資80億美元對(duì)于第二工廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，使得總投資金額到150 億美元。此前，三星西安NAND Flash第二工廠已于2021年投產(chǎn)，而第二工廠的擴(kuò)產(chǎn)也已于今年2月完成，數(shù)月前已開始投產(chǎn)。

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，目前三星在西安的兩座3D NAND工廠，投片量占該公司 NAND 閃存總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達(dá) 15.3%。

至于SK海力士，其于2020年收購(gòu)了英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)，其中包括英特爾大連閃存工廠。2021年，SK海力士順利完成第一階段交割。為加快推動(dòng)項(xiàng)目發(fā)展，決定在大連繼續(xù)擴(kuò)大投資并建設(shè)新工廠。

在大連新建NAND閃存工廠的同時(shí)，SK海力士還通過追加投資對(duì)無錫、重慶工廠進(jìn)行了產(chǎn)能擴(kuò)充，并重點(diǎn)推進(jìn)了8英寸晶圓代工合資廠、產(chǎn)業(yè)園等多個(gè)不同領(lǐng)域的在華項(xiàng)目。

資料顯示，目前SK海力士的晶圓代工業(yè)務(wù)，主要由旗下的SK Hynix System IC負(fù)責(zé)。SK Hynix System IC已經(jīng)將原本在韓國(guó)清州的8吋晶圓廠（M8）搬到了中國(guó)無錫，原本的月產(chǎn)能約為10萬片8吋晶圓，主要生產(chǎn)8吋CMOS圖像傳感器（CIS）及電源管理芯片。在晶圓代工市場(chǎng)方面，占據(jù)約2%的市場(chǎng)份額。

報(bào)道稱，一位資深韓國(guó)官員表示，隨著時(shí)間過去，韓國(guó)在中國(guó)的數(shù)項(xiàng)新的芯片投資案可能會(huì)遭“放棄”，“要是中方不開心，得去跟美國(guó)談”，這顯示美國(guó)力促芯片大廠脫中轉(zhuǎn)美的努力，初見成效。

SK Securities研究主管兼韓國(guó)政府半導(dǎo)體政策顧問Kim Young-woo說，芯片法案當(dāng)中防堵中國(guó)大陸的“護(hù)欄”條款，促使韓國(guó)芯片廠未來布局從中國(guó)轉(zhuǎn)向美國(guó)。美中科技戰(zhàn)讓韓國(guó)廠商反思，如今的地緣政治風(fēng)險(xiǎn)，讓他們更偏向美國(guó)。三星和SK海力士如果不使用美國(guó)設(shè)備和技術(shù)，則無法量產(chǎn)尖端芯片，兩家公司或?qū)⒃诿绹?guó)打造更多工廠。如果必須在美中之間做抉擇，他們只能挑選美國(guó)。

今年5月才卸任的韓國(guó)經(jīng)濟(jì)部官員Yeo Han-koo也說，韓企開始“調(diào)整”美中策略。新經(jīng)濟(jì)秩序正在型塑當(dāng)中，企業(yè)重新評(píng)估局面，并據(jù)此調(diào)整戰(zhàn)略。

編輯：芯智訊-浪客劍