紫光國芯發(fā)布GDDR6控制器及物理接口IP：12nm工藝，速率可達16Gbps

11月6日消息，紫光國芯在GLOBALFOUNDRIES（格芯）舉辦的中國全球科技會議上正式發(fā)布了基于格芯12納米低功耗工藝（GF 12LP）的GDDR6存儲控制器和物理接口IP（GDDR6 MC/PHY IP）。

官方表示，與已有的方案相比，新方案在芯片功耗、面積和成本等方面均有明顯的提升，并能滿足在面向人工智能（AI）和計算應(yīng)用等熱點領(lǐng)域不斷增長的需求。

據(jù)了解，西安紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP包括一個可配置的內(nèi)存控制器（MC），其完全符合DFI3.1和AMBA AXI4.0標準，并允許設(shè)計工程師生成具有優(yōu)化延遲和帶寬的GDDR6控制器以滿足高性能應(yīng)用的要求，如顯卡，游戲機和AI計算等。該IP針對功耗和性能進行了優(yōu)化設(shè)計，西安紫光國芯的GDDR6物理接口（PHY）提供了高達12Gbps/13Gbps/14Gbps/16Gbps的數(shù)據(jù)速率，同時兼容JEDEC250和DFI3.1標準。物理接口（PHY）部分還嵌入了高性能鎖相環(huán)以滿足嚴格的時序規(guī)范。與主流GDDR6存儲顆粒集成，經(jīng)過流片測試驗證，該IP的性能在12Gbps/14Gbps/16Gbps數(shù)據(jù)率時滿足設(shè)計規(guī)格要求。且當數(shù)據(jù)率為16Gbps時，平均每個DQ的最大功耗小于4mW/Gbps。

目前，紫光國芯的GDDR6 MC/PHY IP已經(jīng)在格芯的12LP工藝平臺上架。

來源：西安紫光國芯