長江存儲回應(yīng)將被美制裁傳聞：公司合法合規(guī)經(jīng)營，產(chǎn)品與服務(wù)均為面向商用及民用市場

日前有外媒爆料稱，美國國會部分議員已于當(dāng)?shù)貢r(shí)間12日致信美國商務(wù)部部長，指控長江存儲為軍方關(guān)聯(lián)企業(yè)，要求將長江存儲列入“實(shí)體清單”。今日晚間，長江存儲發(fā)表聲明稱，公司成立以來合法合規(guī)經(jīng)營，產(chǎn)品與服務(wù)均為面向商用及民用市場。

長江存儲表示：

第一，公司自成立至今，始終秉承守法合規(guī)的經(jīng)營理念。在國內(nèi)外各項(xiàng)業(yè)務(wù)中，長江存儲嚴(yán)格遵守所在地法律法規(guī)；

第二，長江存儲所提供的產(chǎn)品與服務(wù)均為面向商用及民用市場；

第三，長江存儲遵守WTO公平貿(mào)易原則，專注于技術(shù)自主研發(fā)并充分尊重第三方的知識產(chǎn)權(quán)；

第四，目前長江存儲生產(chǎn)經(jīng)營各項(xiàng)業(yè)務(wù)均在上述原則基礎(chǔ)上正常開展。

資料顯示，長江存儲成立于2016年7月，是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲器解決方案。公司由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立。據(jù)統(tǒng)計(jì)，長江存儲總投資約1600億元。

依托武漢新芯已有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式，長江存儲已于2017年10月研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。而隨著2018年長江存儲的32層NAND Flash的量產(chǎn)，國產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。不過，由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大，所以并未影響到市場。

2019年9月長江存儲宣布，成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。據(jù)長江存儲介紹，該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求，與當(dāng)時(shí)業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比，其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。

隨后，長江存儲跳過96層堆棧直接殺向128層堆棧，力求進(jìn)一步縮短與三星、東芝等公司的差距。

2020年4月13日，長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功，擁有業(yè)界最高的IO速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

據(jù)介紹，長江存儲X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），單顆容量512Gb(64GB)，以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

2020年8月，長江存儲又推出自有存儲品牌“致鈦”，隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品。并在市場上獲得了不錯(cuò)的表現(xiàn)。

截至目前長江存儲已在武漢、上海、北京等地設(shè)有研發(fā)中心，全球共有員工6000余人，其中資深研發(fā)工程師約2200人。通過不懈努力和技術(shù)創(chuàng)新，長江存儲致力于成為全球領(lǐng)先的NAND閃存解決方案提供商。

編輯：芯智訊-林子