SK海力士將在上半年削減10%NAND產(chǎn)量

2月11日消息，三星電子和SK海力士已開始減少NAND閃存的產(chǎn)量。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，為應(yīng)對供應(yīng)過剩問題，這兩家公司自去年年底起逐步將舊的NAND閃存生產(chǎn)線升級為新工藝。目前，三星電子正逐步用176層、238層和286層等最新產(chǎn)品替代現(xiàn)有的主流128層產(chǎn)品。與此同時，SK海力士也在其NAND生產(chǎn)基地進(jìn)行技術(shù)升級，以量產(chǎn)最新的238層和321層產(chǎn)品。

SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司是由全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一的韓國SK海力士株式會社于2005年4月投資設(shè)立的半導(dǎo)體制造工廠，主要生產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體集成電路芯片，應(yīng)用范圍涉及個人電腦、服務(wù)器、移動存儲等

SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司是由全球半導(dǎo)體領(lǐng)頭企業(yè)之一的韓國SK海力士株式會社于2005年4月投資設(shè)立的半導(dǎo)體制造工廠，主要生產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體集成電路芯片，應(yīng)用范圍涉及個人電腦、服務(wù)器、移動存儲等領(lǐng)域。SK海力士半導(dǎo)體（中國）有限公司在錫進(jìn)行了多次增資及技術(shù)升級，累計(jì)投資額達(dá)105億美元。公司一直致力于打造世界半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，與此同時，認(rèn)真履行企業(yè)的社會職責(zé)，積極參與公益事業(yè)，為社會謀求福利。

3月17日，繼閃迪此前通知4月1日將上調(diào)NAND閃存報(bào)價(jià)后，由于三星電子、SK海力士進(jìn)行減產(chǎn)，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導(dǎo)致NAND供貨轉(zhuǎn)趨吃緊，美光、三星電子、SK海力士等廠商均將從4月起提高NAND閃存報(bào)價(jià)。NAND價(jià)格回漲速度高于原先預(yù)期。

1月24日消息，如今全球NAND閃存持續(xù)供過于求，相應(yīng)市場面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，除了企業(yè)級SSD有動能支撐外，其他終端產(chǎn)品銷量均普遍不如預(yù)期，供貨商庫存持續(xù)上升，訂單需求下降。三星、SK海力士、鎧俠、美光均已開始研究NAND閃存減產(chǎn)計(jì)劃，從而緩解供需失衡并穩(wěn)定價(jià)格，預(yù)計(jì)相關(guān)廠商計(jì)劃會按照市場實(shí)際情況分階段進(jìn)行。

歷史沿革 海力士為原來的現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。 2012年更名SK hynix。 海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導(dǎo)體，2001年將公司名稱改為(株)海力士半導(dǎo)體,從現(xiàn)代集團(tuán)分離出來。2004年10月將系統(tǒng)I

1月3日消息，SK海力士宣布將參加“國際消費(fèi)電子產(chǎn)品展覽會（CES 2025）”，并將展出16層堆疊HBM3E樣品。SK海力士CEO郭魯正表示，SK海力士將于今年下半年開始量產(chǎn)第六代HBM(HBM4)。

2月17日，據(jù)報(bào)道，韓國存儲芯片巨頭SK海力士正在緊急審查其使用的中國電子設(shè)計(jì)自動化（EDA）軟件。對此，SK海力士相關(guān)人士表示：“中國產(chǎn)EDA軟件的合同更新時間已到，公司目前正在評估是否繼續(xù)使用。”

歷史沿革海力士為原來的現(xiàn)代內(nèi)存,2001年更名為海力士。2012年更名SKhynix。海力士半導(dǎo)體在1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司成立，在1996年正式在韓國上市，1999年收購LG半導(dǎo)體，2001

2月24日，星展集團(tuán)行政總裁高博德（Piyush Gupta）在接受采訪時稱，該行計(jì)劃在未來三年內(nèi)削減4000名臨時員工。該行目前有大約9000個這樣的職位，此次裁員不涉及正式員工。