中微半導(dǎo)體設(shè)備公司宣布等離子體刻蝕技術(shù)新突破
2025-03-26 17:26
3月26日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司宣布其ICP雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī)Primo Twin-Star?在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域取得了新的突破。通過(guò)提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度,該設(shè)備的反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度達(dá)到了0.2A(亞埃級(jí)),這一精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上都得到了驗(yàn)證。該精度相當(dāng)于硅原子直徑2.5埃的十分之一,也是人類頭發(fā)絲平均直徑100微米的500萬(wàn)分之一。這是等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域的又一次創(chuàng)新突破。
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