長鑫存儲(chǔ)15項(xiàng)發(fā)明專利曝光

7月4日消息，據(jù)天眼查資料顯示，近日，國產(chǎn)內(nèi)存芯片廠商——長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司公開了名為“磁性存儲(chǔ)器及其讀寫方法”、“存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)”、“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器”等15項(xiàng)發(fā)明專利。

根據(jù)相關(guān)文件顯示，“磁性存儲(chǔ)器及其讀寫方法”發(fā)明專利提供一種磁性存儲(chǔ)器及其讀寫方法，磁性存儲(chǔ)器包括至少一單元層，所述單元層包括：若干條平行的第一導(dǎo)線，位于第一平面內(nèi)；若干條平行的第二導(dǎo)線，位于第二平面內(nèi)，且所述第一平面與所述第二平面平行，所述第二導(dǎo)線在所述第一平面上的投影與所述第一導(dǎo)線交叉；若干個(gè)存儲(chǔ)元件，設(shè)置在所述第一平面與所述第二平面之間，所述存儲(chǔ)元件包括沿垂直所述第一平面方向串聯(lián)設(shè)置的磁隧道結(jié)及雙向選通器件，所述磁隧道結(jié)與所述第一導(dǎo)線連接，所述雙向選通器件與所述第二導(dǎo)線連接，所述雙向選通器件被配置為在被施加閾值電壓和/或電流時(shí)導(dǎo)通。本發(fā)明磁性存儲(chǔ)器改變了傳統(tǒng)的磁性存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，大大提高了磁場存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度。

“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利則涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；第一晶體管，包括位于所述襯底內(nèi)的第一溝道、以及位于所述襯底表面的第一端，所述第一端用于與第一類型存儲(chǔ)單元連接；第二晶體管，包括位于所述襯底內(nèi)的第二溝道、以及位于所述襯底表面的第二端，所述第二端用于與第二類型存儲(chǔ)單元連接，所述第二溝道的寬度大于所述第一溝道的寬度。本發(fā)明能夠?qū)⑺龅谝痪w管的制造工藝與所述第二晶體管的制造工藝兼容，簡化了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。并且，有助于提高存儲(chǔ)器中具有所述第一晶體管和/或所述第二晶體管的存儲(chǔ)單元的集成密度，并縮小存儲(chǔ)單元的尺寸，為擴(kuò)展存儲(chǔ)器的應(yīng)用領(lǐng)域奠定了基礎(chǔ)。

“反應(yīng)腔室的清洗方法及半導(dǎo)體工藝方法”也是本次公開的發(fā)明專利之一，據(jù)介紹，本申請實(shí)施例涉及一種反應(yīng)腔室的清洗方法及半導(dǎo)體工藝方法。該清洗方法用于對反應(yīng)腔室進(jìn)行清洗，反應(yīng)腔室的內(nèi)壁形成有碳材料層，碳材料層的表面附著有介質(zhì)材料層，所述清洗方法包括：于反應(yīng)腔室內(nèi)通入清洗氣體，清洗氣體、碳材料層及介質(zhì)材料層反應(yīng)形成揮發(fā)性產(chǎn)物，以去除介質(zhì)材料層。通過在反應(yīng)腔室的內(nèi)壁形成有碳材料層，以及向反應(yīng)腔室內(nèi)通入可與碳材料層、介質(zhì)材料層形成揮發(fā)性產(chǎn)物的清洗氣體，使得吸附在碳材料層表面的介質(zhì)材料層被去除掉，從而達(dá)到消除反應(yīng)腔室內(nèi)壁上的介質(zhì)材料層掉落到反應(yīng)腔室內(nèi)形成顆粒沾污的目的。