我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件

2月2日，從中國(guó)科學(xué)院微電子研究所獲悉，我國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，第三代半導(dǎo)體材料有望牽引我國(guó)航天電源升級(jí)換代。據(jù)悉，功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為“電力電子系統(tǒng)的心臟”，是最為基礎(chǔ)、應(yīng)用最為廣泛的器件之一。業(yè)內(nèi)專家認(rèn)為，我國(guó)在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件，標(biāo)志著在以“克”為計(jì)量的空間載荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牽引空間電源系統(tǒng)的升級(jí)換代，為未來(lái)我國(guó)在探月工程、載人登月、深空探測(cè)等領(lǐng)域提供新一代功率器件。