梁孟松

梁孟松出生于1952年，先是在國立成功大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系取得學(xué)士與碩士學(xué)位，后于加州大學(xué)柏克萊分校師從胡正明教授。梁孟松的學(xué)術(shù)生涯一帆風(fēng)順，先后獲得電子工程博士學(xué)位、當(dāng)選電氣電子工程師學(xué)會院士，受專業(yè)的影響，梁孟松從事于超微半導(dǎo)體負(fù)責(zé)記憶體相關(guān)工作。

1992年，梁孟松擔(dān)任臺積電工程師、資深研發(fā)處長，是臺積電近500個專利的發(fā)明人。

2003年，梁孟松助力臺積電在130納米制程工藝中擊敗IBM。

2009年，梁孟松離開臺積電，加入韓國三星進(jìn)行芯片研發(fā)，并帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)讓三星在14nm芯片技術(shù)上一度超過臺積電。并成功從臺積電手中搶下蘋果A9處理器和高通的訂單，讓臺積電股價大跌。

2010年10月，梁孟松在韓國成均館大學(xué)擔(dān)任訪問教授，并于2011年7月正式加入三星集團(tuán)，擔(dān)任三星LSI部門技術(shù)長及三星晶圓代工執(zhí)行副總。

2011年底，臺積電以泄露公司機(jī)密為由對梁孟松發(fā)起訴訟，最終梁孟松敗訴，并被要求在2015年12月31日之前不得任職或以其他方式繼續(xù)為三星提供任何服務(wù)。

2017年10月16日，梁孟松獲委任為中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事

2020年2月，梁孟松在財報會議中介紹，來自14nm的營收將穩(wěn)步上升，產(chǎn)能隨著中芯南方12英寸廠的產(chǎn)能爬坡而增長。

2020年12月，中芯國際CEO梁孟松請辭。中芯國際執(zhí)行董事兼聯(lián)合首席執(zhí)行官梁孟松博士為了專注于履行其作為公司聯(lián)合首席執(zhí)行官的職責(zé)，辭任執(zhí)行董事職務(wù)，自2021年11月11日起生效。

2021年11月11日，梁孟松不再擔(dān)任執(zhí)行董事，繼續(xù)擔(dān)任中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官。

2016年2月份，中芯國際就宣布28納米工藝進(jìn)入設(shè)計定案階段（tape-out），但良品率一直不穩(wěn)定。梁孟松來到中芯國際后，在其率領(lǐng)團(tuán)隊(duì)的努力下，用了不到一年時間就將中芯國際28納米工藝良品率提升至85%以上。

不過，同年2月，聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司試產(chǎn)28納米，其良品率高達(dá)98%。而臺積電南京廠也于2018年量產(chǎn)16納米制程。因此，中芯國際在28納米領(lǐng)域并沒有足夠大的優(yōu)勢。

有鑒于此，梁孟松在研發(fā)上采取了跳代的方式。梁孟松到來之前，中芯國際（與臺積電、三星）的差距是逐年拉大的。他到來之后，中芯國際的研發(fā)采取了跳代的方式，直接跳到14nm，之后繼續(xù)向N+1、N+2發(fā)展。

集成電路結(jié)構(gòu)的形成方法專利號：CN201310390288.3

集成電路與其形成方法與電子組件專利號：CN200410042978.0

2021年，福布斯中國最佳CEO榜排名第28位。