SK海力士發(fā)布全球首款238層閃存芯片，明年上半年量產(chǎn)

8月3日消息，韓國存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC（Triple Level Cell）4D閃存芯片（NAND）樣品，該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

據(jù)悉，SK海力士當(dāng)天在美國加州舉行的2022全球閃存峰會(huì)上首次公開該產(chǎn)品。

SK海力士表示，這是公司自2020年12月研發(fā)出176層NAND后時(shí)隔1年零7個(gè)月成功研發(fā)下一代新技術(shù)。尤其是新產(chǎn)品既擁有業(yè)界最高層數(shù)，也是目前最小的NAND產(chǎn)品，其意義重大。

與176層NAND相比，新產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提升34%，數(shù)據(jù)傳輸速度（每秒2.4Gb）提升50%，功耗減少21%。

SK海力士計(jì)劃先為客戶端固態(tài)硬盤（SSD）供應(yīng)238層NAND，之后逐步將產(chǎn)品使用范圍擴(kuò)大至智能手機(jī)和大容量服務(wù)器固態(tài)硬盤，并于明年推出該產(chǎn)品的1Tb擴(kuò)容版。

值得注意的是，在今年7月底，美光已經(jīng)宣布量產(chǎn)了業(yè)界首款232層NAND芯片。雖然SK海力士宣布的238層NAND芯片堆疊層數(shù)要更高一些，但目前仍然還是紙面上的宣布，量產(chǎn)時(shí)間還要等到明年上半年。

編輯：芯智訊-林子