傳長江存儲(chǔ)年底量產(chǎn)232層3D NAND，進(jìn)度領(lǐng)先美光
今年6月14日消息，據(jù)臺(tái)灣DigiTimes消息，近日有市場(chǎng)傳聞稱，長江存儲(chǔ)將跳過原定192層3D NAND技術(shù)，直接挑戰(zhàn) 232層3D NAND，并有望于2022年底量產(chǎn)。
目前，長江存儲(chǔ)的128層3D NAND閃存早已量產(chǎn)，今5月，有消息稱長江存儲(chǔ)已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品，預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出相應(yīng)產(chǎn)品。誰曾想，現(xiàn)在又傳出長江存儲(chǔ)將在今年年底直接量產(chǎn)232層3D NAND的消息，這確實(shí)有些令人意外。
雖然，該傳聞尚未得到官方的證實(shí)。但是，芯智訊從某半導(dǎo)體設(shè)備大廠內(nèi)部消息人士那里了解到，該消息屬實(shí)。
值得注意的是，在今年5月，存儲(chǔ)芯片大廠美光（Micron）率先發(fā)布了業(yè)界首個(gè)232層堆棧的3D NAND芯片，并預(yù)計(jì)在今年年底量產(chǎn)。另外，消息顯示，三星電子預(yù)計(jì)也將在今年年底推出200層以上的3D NAND。
該消息人士還表示，長江存儲(chǔ)的232層3D NAND研發(fā)似乎比美光略早一點(diǎn)點(diǎn)，應(yīng)該也將是第一量產(chǎn)的，雖然產(chǎn)能比美光要小。
如果長江存儲(chǔ)真的能夠跳過192層3D NAND，搶先美光在年底量產(chǎn)232層3D NAND，無疑將直接追上三星、美光、鎧俠等一眾3D NAND大廠，成功躋身一線3D NAND技術(shù)大廠。
編輯：芯智訊-浪客劍
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