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          國產(chǎn)碳化硅功率器件設計及方案商派恩杰半導體再獲數(shù)千萬Pre-A輪融資

          共 1894字,需瀏覽 4分鐘

           ·

          2021-09-19 19:31


          9月15日消息,據(jù)碳化硅功率器件設計及方案商派恩杰半導體(杭州)有限公司(以下簡稱派恩杰)官方消息稱,繼創(chuàng)東方投資、天際資本后再獲湖杉資本數(shù)千萬Pre-A輪融資,本次融資資金將用于更高電壓平臺功率器件產(chǎn)品的研發(fā)和全球市場的布局。


          湖杉資本是一家半導體產(chǎn)業(yè)鏈的投資機構,專注于半導體技術驅(qū)動下的早中期及成長期產(chǎn)業(yè)鏈投資機會。派恩杰則是快速發(fā)展的第三代半導體功率器件設計及方案商,無論產(chǎn)品技術,還是市場布局,均具備與國際大廠一較高下的實力。派恩杰創(chuàng)始人黃興博士表示:“湖杉資本資金的加持,對于派恩杰半導體來說如虎添翼,能幫助我們加快新產(chǎn)品研發(fā)速度以及全球一線客戶Design in速度,保持技術領先優(yōu)勢,擴大市場影響力?!?/p>


          派恩杰的SiC功率器件技術傳承至IGBT發(fā)明者Dr. B. Jayant Baliga和發(fā)射極關斷晶閘管(ETO)的發(fā)明者Dr. Alex Q. Huang,開模量產(chǎn)則是由全球第一家提供150mm SiC工藝的代工廠X-FAB提供,產(chǎn)品品質(zhì)及供貨均有保障。目前,在海內(nèi)外已有一線客戶導入使用。


          據(jù)公開資料顯示,派恩杰已量產(chǎn)50余款SiC SBD、SiC MOSFET功率器件及模塊,廣泛應用于新能源、智能電網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、電子電力等領域,具體包括新能源汽車儲能/充電樁、大數(shù)據(jù)中心、超級計算與區(qū)塊鏈、5G 通 信基站、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器。其SiC MOSFET 650V-1700V電壓平臺產(chǎn)品齊全,HDFM 值優(yōu)于行業(yè)水平50%以上,短路能力及門極抗干擾能力達到國際一流水平,柵氧可靠性達到車規(guī)級標準,比國內(nèi)同行領先兩代以上(3-5年)。


          雖然SiC行業(yè)契合國家新基建戰(zhàn)略,發(fā)展迅速,但前10位尚無中國企業(yè)。對此,湖杉資本投資總監(jiān)孫震先生說:“化合物半導體SiC和GaN是第三代半導體材料的代表,也是未來能源、工業(yè)、智能制造等重要領域的基礎。對于我國來說,SiC戰(zhàn)略地位十分重要,而現(xiàn)有SiC器件市場被國外企業(yè)占據(jù),國產(chǎn)SiC產(chǎn)品肩負著彎道超車、擺脫該領域卡脖子技術限制的國家使命。值得慶幸的是,SiC器件市場空間巨大,目前國產(chǎn)SiC材料公司已經(jīng)取得了較大的成果。在SiC功率器件方面,派恩杰憑借技術及經(jīng)驗優(yōu)勢,也已經(jīng)走在了國內(nèi)同類公司的前列,即使是與國際巨頭相比,產(chǎn)品布局和器件性能也不遑多讓。據(jù)我們了解,2020年初,派恩杰就開發(fā)驗證了1700V工業(yè)級 SiC MOSFET產(chǎn)品,和國際巨頭節(jié)奏同步。2021年初,成功開發(fā)驗證了1200V大電流車規(guī)級的SiC MOSFET產(chǎn)品。派恩杰擁有關鍵的核心技術,和國內(nèi)競爭對手相比,產(chǎn)品有先發(fā)優(yōu)勢,在供應鏈方面也有戰(zhàn)略布局,產(chǎn)品系列全面,成立三年時間就規(guī)模化應用于汽車、新能源。綜上,湖杉資本看好派恩杰公司在SiC器件領域國內(nèi)的領先地位,也會堅定持續(xù)支持公司發(fā)展?!?/p>


          對于國內(nèi)的SiC功率器件公司仍處于技術研發(fā)階段,尚未形成銷售規(guī)模。派恩杰市場與銷售副總裁高治廷先生表示:“這對于派恩杰來說既是挑戰(zhàn)又是機遇,派恩杰在亞洲、歐洲和北美都已經(jīng)設有營銷中心,我們的市場及銷售團隊是來自Tier 1 歐美、日本原廠的高級別資深市場及銷售團隊。我們正在加快建立全球營銷網(wǎng)絡,爭取成為在海內(nèi)外市場最大份額的中國SiC 品牌。湖杉資本的加入對于我們加速全球銷售網(wǎng)絡覆蓋提供了強有力的后盾?!?/p>


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