半導(dǎo)體器件物理
《半導(dǎo)體器件物理》（第3版）這本經(jīng)典著作在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域已經(jīng)樹立起了先進(jìn)的學(xué)習(xí)和參考典范。此書的第3版保留了重要半導(dǎo)體器件的最為詳盡的知識(shí)內(nèi)容，并做了更新和重新組織，反映了當(dāng)今器件在概念和性能等方面的巨大進(jìn)展，它可以使讀者快速地了解當(dāng)今半導(dǎo)體物理和所有主要器件，如雙極、場效應(yīng)、微波、光子器件和傳感器的性能特點(diǎn)?！栋雽?dǎo)體器件物理》（第3版）專為研究生教材和參考所需設(shè)計(jì)，新版本包括：以最新進(jìn)展進(jìn)行了全面更新；包括了對(duì)三維MOSFET、MODFET、共振隧穿二極管、半導(dǎo)體傳感器、量子級(jí)聯(lián)激光器、單電子晶體管、實(shí)空間轉(zhuǎn)移器件等新型器件的敘述；對(duì)內(nèi)容進(jìn)行了重新組織和安排；各章后面配備了習(xí)題；重新高質(zhì)量地制作了書中的所有插圖。
施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學(xué)技術(shù)、半導(dǎo)體器件物理專業(yè)，臺(tái)灣交通大學(xué)電子工程學(xué)系毫微米元件實(shí)驗(yàn)室教授，美國工程院院士。1936年出生。1957年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學(xué)和斯坦福大學(xué)碩士與博士學(xué)位。
施敏博士是國際知名的微電子科學(xué)技術(shù)與半導(dǎo)體器件專家和教育家。他是非揮發(fā)MOS場效應(yīng)記憶晶體管（MOSFET）的發(fā)明者，這項(xiàng)發(fā)明已成為世界集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品之一，90年代初其產(chǎn)值已達(dá)100億美元。此外，他還有多項(xiàng)創(chuàng)造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發(fā)現(xiàn)崩潰電壓與能隙的關(guān)系，建立了微電子元件最高電場的指標(biāo)，如此等等。
施敏博士在微電子科學(xué)技術(shù)著作方面舉世聞名，對(duì)半導(dǎo)體元件的發(fā)展和人才培養(yǎng)方面，作出貢獻(xiàn)。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of ...
施敏（Simon M·Sze） 美國籍，微電子科學(xué)技術(shù)、半導(dǎo)體器件物理專業(yè)，臺(tái)灣交通大學(xué)電子工程學(xué)系毫微米元件實(shí)驗(yàn)室教授，美國工程院院士。1936年出生。1957年畢業(yè)于臺(tái)灣大學(xué)。1960年、1963年分別獲得華盛頓大學(xué)和斯坦福大學(xué)碩士與博士學(xué)位。
施敏博士是國際知名的微電子科學(xué)技術(shù)與半導(dǎo)體器件專家和教育家。他是非揮發(fā)MOS場效應(yīng)記憶晶體管（MOSFET）的發(fā)明者，這項(xiàng)發(fā)明已成為世界集成電路產(chǎn)業(yè)主導(dǎo)產(chǎn)品之一，90年代初其產(chǎn)值已達(dá)100億美元。此外，他還有多項(xiàng)創(chuàng)造性成果，如80年代初首先以電子束制造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發(fā)現(xiàn)崩潰電壓與能隙的關(guān)系，建立了微電子元件最高電場的指標(biāo)，如此等等。
施敏博士在微電子科學(xué)技術(shù)著作方面舉世聞名，對(duì)半導(dǎo)體元件的發(fā)展和人才培養(yǎng)方面，作出貢獻(xiàn)。他的三本專著已在我國翻譯出版，其中《Physics of Semiconductor Devices》已翻譯成六國文字，發(fā)行量逾百萬冊；他的著作廣泛用作教科書與參考書。由于他在微電子器件及在人才培養(yǎng)方面的貢獻(xiàn)，先后被選為臺(tái)灣中央研究院院士和美國國家工程院院士；1991年他得到IEEE電子器件的最高榮譽(yù)獎(jiǎng)（Ebers獎(jiǎng)），稱他在電子元件領(lǐng)域做出了基礎(chǔ)性及前瞻性貢獻(xiàn)。
施敏博士多次來國內(nèi)講學(xué)，參加我國微電子器件研討會(huì)；他對(duì)臺(tái)灣微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，曾提出過有份量的建議。他曾一再表示愿為我國微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供咨詢。
1998年6月當(dāng)選為中國工程院外籍院士。