半導(dǎo)體器件物理與工藝

《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)分為三個部分：第1部分（第2、3章）描述半導(dǎo)體的基本特性和它的傳導(dǎo)過程，尤其著重在硅和砷化鎵兩種最重要的豐導(dǎo)體材料上。第l部分的概念將在《半導(dǎo)體器件物理與工藝》(第2版)接下來的部分被用到，了解這些概念需要現(xiàn)代物理和微積分的基本知識。第2部分（第4-9章）討論所有土要半導(dǎo)體器件的物理過程和特性。由對大部分半導(dǎo)體器件而言最關(guān)鍵的p-n結(jié)開始，接下來討論雙極型和場效應(yīng)器件。最后討論微波、量子效應(yīng)、熱電子和光電子器件。第3部分（第10-14章）則介紹從晶體生長到摻雜等工藝技術(shù)。我們介紹了制作器件時的各個主要步驟，包含理論和實際情況，并特別強調(diào)其在集成電路土的壓用。