銘鎵半導(dǎo)體認(rèn)領(lǐng)

是國(guó)內(nèi)率先專(zhuān)業(yè)從事第四代（超寬禁帶）半導(dǎo)體氧化鎵材料開(kāi)發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化的高科技公司。2020年11月20日，注資1000萬(wàn)元成立。銘鎵半導(dǎo)體致力于研發(fā)和生產(chǎn)基于新型超寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵的高質(zhì)量單晶與外延襯底、高靈敏度日盲紫外探測(cè)器件、高頻大功率器件等。經(jīng)過(guò)探索和努力，初步完成氧化單晶襯底、氧化鎵異質(zhì)/同質(zhì)外延襯底生產(chǎn)和研發(fā)平臺(tái)的構(gòu)建。申請(qǐng)20余項(xiàng)專(zhuān)利，為全國(guó)100多家從事氧化鎵后端器件開(kāi)發(fā)的研究機(jī)構(gòu)和企業(yè)客戶(hù)提供上游材料保障，急速推進(jìn)和增強(qiáng)我國(guó)在第四代半導(dǎo)體材料的國(guó)際產(chǎn)業(yè)地位和核心競(jìng)爭(zhēng)力。