中國存儲器芯片行業(yè)概覽
存儲器芯片定義及分類：存儲器芯片是半導體存儲產品的核心，是電子系統(tǒng)中負責數據存儲的核心硬件單元，其存儲量與讀取速度直接影響電子設備性能。半導體存儲按照掉電后是否保存數據，分為易失性存儲和非易失性存儲。
易失性存儲主要以隨機存取器RAM為主，使用量最大的為動態(tài)隨機存儲DRAM。
非易失性存儲中最常見的為NOR Flash與NAND Flash，其中NOR Flash因其讀取速度快且可擦除寫入，被作為代碼存儲的主要器件，NAND Flash在高容量時具有成本優(yōu)勢，且讀寫速度比傳統(tǒng)的光學、磁性存儲器快，是現在主流的大容量數據存儲器件。
當前中國NOR Flash芯片技術基本成熟，但在DRAM、NAND Flash芯片領域，仍與國際領先水平有著一代以上的技術差異。
NAND目前制程基本已經達到極限，開始從2D轉向3D發(fā)展，使得國內的技術與國際大廠的差距有望逐漸縮小。3D NAND國際上目前通用的為64層，而國內長江存儲已經實現32層，差距只有一代。
中國半導體產業(yè)鏈由上游為半導體支撐產業(yè)，中游為存儲芯片行業(yè)，下游市場參與者由眾多電子整機廠組成。存儲器芯片是集成電路價值量最大的產品之一，存儲芯片產業(yè)是國家戰(zhàn)略產業(yè)，直接關系到電子信息產業(yè)的發(fā)展，中國正逐漸在全產業(yè)鏈各個環(huán)節(jié)中實現對進口產品的替代。
全球范圍內，美、韓兩國存儲器芯片廠商居頭部，技術領先，議價能力強，近年來中方企業(yè)技術逐漸實現趕超，預計未來將實現國產替代。
中國IC設計行業(yè)缺乏自主設計流程的能力，還不具備COT設計能力，主要依靠工藝技術的進步和EDA工具的進步
除兆易創(chuàng)新外，中國存儲器芯片廠商多為IDM模式發(fā)展
當前在高端制程，中國廠商難以實現國產替代
3D NAND Flash 領域：三星86層技術成熟，當前長江存儲64層產品已小范圍量產，目前在調試設備跨86層實現128層技術彎道超越
DRAM領域：當前中國全面落后于國際頭部企業(yè)
中國集成電路封測水平居全球領先水平，已完全實現國產替代
存儲器芯片封測行業(yè)屬于勞動密集型、技術密集型企業(yè)
封測水平反向推動產業(yè)鏈中游芯片制造業(yè)的發(fā)展
三大主流存儲器芯片近年來下游市場規(guī)模逐年擴大，旺盛的下游需求推動存儲器芯片行業(yè)的發(fā)展。
近五年來，受PC及移動端電子設備內存容量不斷擴大，以TWS為代表的可穿戴設備新型消費級市場快速擴張，以及大數據云計算技術不斷釋放對企業(yè)級存儲的需求等多方因素的影響，中國存儲器芯片行業(yè)整體不斷發(fā)展，市場規(guī)模（以銷售額計）從2014年的45.2億美元增長到了2019年123.8億美元，年復合增長率高達28.6%。
由于當前存儲器芯片應用廣泛，同時下游消費電子市場份額逐年擴大，且未來5G及物聯網技術將進一步為中國存儲器芯片的整體發(fā)展賦能，預計未來中國存儲器芯片還將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢。到2024年，中國存儲器芯片市場份額有望突破522.6億美元，占全球市場的14%。
中國存儲器芯片廠商有天然地緣優(yōu)勢，未來對進口的依賴將會進一步減弱，國產替代率將進一步提高。
存儲器芯片產品具有典型的大宗商品屬性，差異化競爭較小，不同企業(yè)生產的產品技術指標基本相同，標準化程度較高，因此品牌化程度較弱，用戶粘性低。
從電子整機下游消費者角度考量：消費者通常只會考慮存儲芯片的容量，如手機存儲量是64G還是128G，對存儲器芯片品牌不會有過多關注。
從存儲器芯片廠角度考量：行業(yè)壁壘高，頭部企業(yè)通常體量大、投資高、規(guī)模龐大，下游整機廠在選配存儲器芯片時，在產品性能、物理屬性等技術性能接近的情況下，報價通常作為第一考量因素。
從電子整機廠角度考量：尤其是消費類電子整機出貨量通常以億為計量單位，存儲器芯片作為核心存儲硬件單元，需求量與其倍數相關，巨量需求下，性價比直接決定品牌的市場份額。因此，對于存儲器芯片行業(yè)，只要技術參數上達到產品需求，不同品牌的可替代率很高，這為中國存儲器芯片品牌的發(fā)展提供了彎道超車的可能。
物聯網技術的發(fā)展使得設備的網絡接入量與整體數據存儲量呈現爆發(fā)式增長，直接拉動存儲器芯片行業(yè)的發(fā)展。
物聯網技術的發(fā)展使近年來NOR Flash呈現市場復蘇。通常，物聯網接入設備的系統(tǒng)與手機、計算機等相比更簡單，處理數據更少，對存儲空間的要求較少，一般在幾兆到幾百兆之間。此時物聯網接入設備采用NOR Flash替代傳統(tǒng)計算機、手機等設備以DRAM和NAND Flash為核心的內存處理方案是性價比最高的選擇，這使得物聯網技術賦能的新設備仍能維持在當前價格水平，逐漸提高在整體產品市場的滲透率。
全球內存及閃存產品在國際競爭市場上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。在DRAM領域，三星、海力士及美光為行業(yè)龍頭，在NAND領域，三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權。
當前，中國已初步完成在存儲芯片領域的戰(zhàn)略布局，但由于中國起步晚，且受到技術封鎖，市場份額較少，距離全面國產替代還有較大的發(fā)展空間。存儲芯片良好的發(fā)展態(tài)勢將為中國在這一領域的發(fā)展提供源源不斷的需求保障。
當前中國基本實現NOR Flash芯片的進口替代，但在DRAM、NAND Flash芯片領域，仍與國際領先水平有不小差距。
全球存儲器芯片市場規(guī)模大且競爭激烈，當前中國已基本實現NOR Flash芯片的進口替代，但在DRAM、NAND Flash芯片領先制程領域，仍與國際領先水平有不小差距。
三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭在產能上持續(xù)投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存已成業(yè)界主力產品，2019年開始量產92層、96層的產品，到2020年，大廠們即將進入128層3D NAND閃存的量產。
長江存儲64層三維閃存產品的量產有望使中國存儲芯片自產率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長江存儲的64層3D NAND閃存量產消息別具意義。
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