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          深度報告:DRAM存儲芯片研究框架

          共 2416字,需瀏覽 5分鐘

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          2021-04-13 13:06



          半導(dǎo)體存儲從應(yīng)用上可劃分為易失性存儲器(RAM,包括DRAM和SRAM等),以及非易失性存儲器(ROM和非ROM)。


          動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)同屬于易失性存儲器,在斷電狀態(tài)下數(shù)據(jù)會丟失。兩者因結(jié)構(gòu)不同,其應(yīng)用場景有很大的不同。


          DRAM利用電容儲存電荷多少來存儲數(shù)據(jù),需要定時刷新電路克服電容漏電問題,讀寫速度比SRAM慢,常用于容量大的主存儲器,如計算機、智能手機、服務(wù)器內(nèi)存等。 


          SRAM讀寫速度快,制造成本高,常用于對容量要求較小的高速緩沖存儲器,如CPU一級、二級緩存等。



          DRAM由許多重復(fù)的“單元”——位元格(Bit Cell)組成,每一個cell由一個電容和一個晶體管(一般是N溝道MOSFET——控制電容充放電的開關(guān))構(gòu)成,電容可儲存1bit數(shù)據(jù)量,充放電后電荷的多少(電勢高低)分別對應(yīng)二進制數(shù)據(jù)0和1。晶體管MOSFET則是控制電容充放電的開關(guān)。DRAM結(jié)構(gòu)簡單,可以做到面積很小,存儲容量很大。 


          DRAM具有刷新特性。由于電容存在漏電現(xiàn)象,因此必須經(jīng)常進行充電保持電勢(刷新),這個刷新的操作一直要持續(xù)到數(shù)據(jù)改變或者斷電。


          多個位元格(Bit Cell)組成矩陣結(jié)構(gòu),形成內(nèi)存庫,數(shù)個內(nèi)存庫形成DRAM存儲芯片。內(nèi)存庫中,多個字元線與位元線交叉,每個交點均存在一個位元格處理信息。字元線改變電壓影響相應(yīng)的位元格,位元格將電流傳至各自的位元線,由感測放大器偵測并放大電壓變化。


          DRAM的核心是利用0和1存儲數(shù)據(jù)。感測放大器會將小幅增加的電壓放大成高電壓(代表邏輯1),把微幅降低的電壓放大成零電壓(代表邏輯0),并將各個邏輯數(shù)值儲存至一個多閂結(jié)構(gòu)。


          DRAM競爭格局歷經(jīng)洗牌,現(xiàn)階段韓國三星、海力士、美國美光三大寡頭壟斷市場。從集中度看,三星、海力士、美光三家企業(yè)壟斷市場,top3市占率從2006年開始大幅度上升,集中度迅速提高,從2005年61.9%迅速提升到2018年95.5%,呈現(xiàn)“三足鼎立”之勢。


          DRAM行業(yè)歷經(jīng)多輪周期洗禮,全球供應(yīng)商的數(shù)量在1997年達到峰值,而后隨著產(chǎn)業(yè)的變遷逐步減小,目前僅以三家巨頭為主,其他廠商包括中國臺灣的南亞科技、華邦電子等。


          三星穩(wěn)居全球DRAM龍頭,海力士美光緊隨其后。2013年美光收購爾必達,市占率曾短暫超過海力士并接近三星,但三星堅守研發(fā)高投入,逆向投資等策略,隨即鞏固了在DRAM領(lǐng)域的優(yōu)勢。


          DRAM主要可以分為DDR(Double Data Rate)系列、LPDDR(Low Power Double Data Rate)系列和GDDR(Graphics Double Data Rate)系列、HBM系列。DDR是內(nèi)存模塊中使輸出增加一倍的技術(shù),是目前主流的內(nèi)存技術(shù)。LPDDR具有低功耗的特性,主要應(yīng)用于便攜設(shè)備。GDDR一般會匹配使用高性能顯卡共同使用,適用于具有高帶寬圖形計算的領(lǐng)域。


          云計算、大數(shù)據(jù)的興起,服務(wù)器的數(shù)據(jù)容量和處理速度在不斷提高,推動了DDR技術(shù)的升級迭代,目前市場上主流技術(shù)規(guī)范為DDR4和LPDDR4,DDR5技術(shù)即將進入商用領(lǐng)域。


          本文分享自《深度報告:DRAM存儲芯片研究框架》內(nèi)容如下,作者為方正證券分析師陳航。下載鏈接:深度報告:DRAM存儲芯片研究框架


          一、DRAM投資邏輯框架

          DRAM驅(qū)動力及增量市場
          DRAM國產(chǎn)替代∶合肥長鑫為最大希望 
          DRAM供需錯配導(dǎo)致價格波動 

          二、詳解DRAM∶ 存儲器最大細分領(lǐng)域

          DRAM 定義與結(jié)構(gòu)
          DRAM 歷史與發(fā)展 
          DRAM 分類及技術(shù)路徑 
          DRAM 未來技術(shù)及制程 

          三、需求∶ 周期波動及需求分析

          DRAM行業(yè)變革及周期 
          DRAM 供需與周期關(guān)系
          詳解DRAM六大需求剖析 

          四、知己知彼∶DRAM市場及競爭格局剖析

          DRAM市場規(guī)模及競爭格局 
          DRAM廠商主要特點
          DRAM三巨頭∶三星、海力士、美光 

          五、國內(nèi)現(xiàn)狀∶大陸各DRAM廠商詳解 

          國內(nèi)DRAM現(xiàn)狀解析 
          大陸主要DRAM項目 
          合肥長鑫∶DRAM國內(nèi)最大希望


          下載鏈接:深度報告:DRAM存儲芯片研究框架

          相關(guān)下載:CPU和GPU研究框架合集

          1、行業(yè)深度報告:GPU研究框架

          2、信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)研究框架

          3、ARM行業(yè)研究框架

          4、CPU研究框架

          5、國產(chǎn)CPU研究框架

          6、行業(yè)深度報告:GPU研究框架


          (合集):信創(chuàng)研究專題框架

          1、2020信創(chuàng)發(fā)展研究報告 

          2、中國信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展白皮書(2021) 

          3、信創(chuàng)研究框架 

          4、云計算行業(yè):新基建和信創(chuàng)云計算進階 

          5、深度研究:云計算與信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)持續(xù)快速發(fā)展 

          6、深度:信創(chuàng)產(chǎn)業(yè)系列專題(總篇) 

          7、計算機行業(yè)研究:信創(chuàng)和鯤鵬計算產(chǎn)業(yè)鏈


          異構(gòu)芯片研究框架合集
          1、EDA行業(yè)研究框架
          2、半導(dǎo)體大硅片研究框架
          3、封測行業(yè)研究框架
          4、光刻機行業(yè)研究框架
          4、國產(chǎn)FPGA研究框架
          5、國產(chǎn)基帶芯片研究框架
          6、深度報告:NOR存儲芯片研究框架





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