11月北美半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)26.12億美元，已實(shí)現(xiàn)連續(xù)14個(gè)月同比增長
近日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布了最新的報(bào)告，2020年11月北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額達(dá)26.12億美元，雖然環(huán)比下滑了1.4%，但是同比增長了23.1%，已實(shí)現(xiàn)連續(xù)14個(gè)月的同比成長。由于晶圓代工大廠及存儲大廠持續(xù)加碼投資，使設(shè)備需求不斷提升，預(yù)期2021年設(shè)備銷售額有望進(jìn)一步增長。
SEMI全球行銷長暨臺灣區(qū)總裁曹世綸表示，美國半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨在2020年秋天創(chuàng)下新紀(jì)錄高點(diǎn)后，盡管市場預(yù)期出貨量將縮減規(guī)模，11月的出貨數(shù)據(jù)仍表現(xiàn)強(qiáng)勁。
目前臺積電、三星等晶圓代工大廠及國際IDM大廠在先進(jìn)制程布局腳步不斷，從先前的7nm制程，到現(xiàn)在的5nm制程，且未來更加推進(jìn)到4nm甚至是3nm制程，當(dāng)中需要使用到大量的極紫外光（EUV）光刻機(jī)，因此在設(shè)備需求上未來將持續(xù)成長。
事實(shí)上，根據(jù)臺積電已經(jīng)宣布的建廠計(jì)劃來看，預(yù)計(jì)將在南科Fab 18廠的4～6期建立超大型晶圓廠（GigaFab），當(dāng)中部分廠區(qū)將會在2022年開始量產(chǎn)3nm制程，竹科寶山土地將會興建2nm制程的超大型晶圓廠，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者可望搶下不少商機(jī)。
至于在存儲市場部分，三星、SK海力士及美光等DRAM大廠開始向前推進(jìn)到1z及1a等次世代DRAM技術(shù)，同樣需要使用EUV設(shè)備用在曝光制程，屆時(shí)將會推動DRAM大量采購設(shè)備需求，NAND Flash的3D制程則開始邁入200層以上的堆疊技術(shù)，使NAND Flash廠于2021年設(shè)備采購規(guī)模上可望優(yōu)于2020年水準(zhǔn)。
由于半導(dǎo)體大廠對于2021年投資力度將可望高于2020年，因此半導(dǎo)體設(shè)備需求也有望將高于2020年。
編輯：芯智訊-林子? ?來源：工商時(shí)報(bào)
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