砥礪前行：國(guó)內(nèi)光刻膠發(fā)展之路

光刻膠是光刻時(shí)用于接收?qǐng)D像的介質(zhì)：光刻膠是一種有機(jī)化合物，受特定波長(zhǎng)光線曝光作用后其化學(xué)結(jié)構(gòu)改變，在顯影液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化，因此又稱光致抗蝕劑。正膠在曝光后發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，可以被顯影液溶解，留下的薄膜圖形與掩膜版相同；而負(fù)膠經(jīng)過(guò)曝光后變成不可溶物質(zhì)，非曝光部分被溶解，獲得的圖形與掩膜版相反。

主要成分：光刻膠是光刻工藝的核心材料，主要由樹(shù)脂、感光劑、溶劑、添加劑等組成，其中樹(shù)脂和感光劑是最核心的部分。

使用UV光的簡(jiǎn)易光刻工藝圖：

光刻膠主要成分：

• 樹(shù)脂（聚合物）：在光照下不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，主要作用是保證光刻膠薄膜的附著性和抗腐蝕性，也決定了一些其他特性如膜厚、彈性、熱穩(wěn)定性等。

  
  

• 感光劑：受特定波長(zhǎng)光照后在曝光區(qū)發(fā)生光固化反應(yīng)，使得材料的物理特性，尤其是溶解性發(fā)生顯著變化。

  
  

• 溶劑：為了方便涂覆，要將溶質(zhì)加入溶劑進(jìn)行溶解，形成液態(tài)物質(zhì)。

  
  

• 添加劑：用以改變光刻膠的某些特性，如為改善發(fā)生反射而添加染色劑等。

概述|光刻技術(shù)是半導(dǎo)體

制造最關(guān)鍵的技術(shù)

光刻技術(shù)是半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：光刻技術(shù)用于電路圖形生成和復(fù)制，是半導(dǎo)體制造最為關(guān)鍵的技術(shù)。

• 光刻技術(shù)的進(jìn)步是集成電路技術(shù)遵循摩爾定律更新的重要技術(shù)先導(dǎo)，其先進(jìn)程度決定了半導(dǎo)體制造技術(shù)水平的高低。

  
  

• 光刻工藝貫穿半導(dǎo)體器件和集成電路制造工藝始終，當(dāng)代超大規(guī)模集成電路制作需要幾十次乃至上百次光刻才能完成，光刻的最小線條尺寸是集成電路發(fā)展水平的標(biāo)志。

  
  

• 基本光刻工藝流程包括表面處理、涂膠、前烘、對(duì)準(zhǔn)和曝光、顯影、后烘等工序，將所需要的微細(xì)圖形從光罩轉(zhuǎn)移到待加工基片上。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及制造工藝流程：

光刻工藝基本流程：

概述|半導(dǎo)體光刻膠是光刻

膠重要應(yīng)用領(lǐng)域之一

光刻膠應(yīng)用分類：光刻膠按照下游應(yīng)用領(lǐng)域劃分，主要可分為PCB、面板、半導(dǎo)體三類，每一類光刻膠又有各自細(xì)分品類。其中半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)門檻最高，按照光源波長(zhǎng)的從大到小，可分為紫外寬譜(300-450nm)、g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、ArF(193nm)、EUV(13.5nm)等主要品類，每一種品類的組分、適用的IC制程技術(shù)節(jié)點(diǎn)也不盡相同。

光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類：

全球光刻膠市場(chǎng)結(jié)構(gòu)：

半導(dǎo)體光刻膠品類：

技術(shù)演進(jìn)|與光刻技術(shù)曝光波長(zhǎng)

適配下的分辨率提升

曝光波長(zhǎng)的減小是提高光刻分辨率最有效的途徑：根據(jù)著名的瑞利判據(jù)公式——分辨率R=K1*/NA，光刻工藝分辨率的提升可以通過(guò)減小光源波長(zhǎng)、增加光刻物鏡數(shù)值孔徑NA、減小工藝因子K1三方面實(shí)現(xiàn)，而后兩者的變動(dòng)范圍相對(duì)有限，因此波長(zhǎng)的減小是提高光刻分辨率最有效的途徑。

發(fā)展路徑清晰：制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)化的需求是光刻膠行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)因素，光刻膠和光刻機(jī)技術(shù)的相輔相成、兵合一處是制程得以進(jìn)步、摩爾定律得以實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵。相應(yīng)的，光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)與光刻機(jī)曝光波長(zhǎng)的適配是提高光刻工藝分辨率的關(guān)鍵。

光刻技術(shù)發(fā)展圖譜：分辨率提升超100x

ASML使用EUV實(shí)現(xiàn)微縮化的歷史：

壁壘|專利技術(shù)、原材料、設(shè)備驗(yàn)證、

客戶認(rèn)證等高筑行業(yè)壁壘

客戶認(rèn)證：由于光刻膠的品質(zhì)會(huì)直接影響最終的芯片性能、良率等，試錯(cuò)成本極高，因此客戶準(zhǔn)入壁壘高，驗(yàn)證周期通常需要2-3年。

客戶產(chǎn)品驗(yàn)證需要經(jīng)過(guò)PRS(基礎(chǔ)工藝考核)、STR(小批量試產(chǎn))、MSTR(中批量試產(chǎn))、RELEASE(量產(chǎn))四個(gè)階段。

專利技術(shù)：光刻膠產(chǎn)品需要根據(jù)不同的應(yīng)用需求定制，產(chǎn)品品類多，配方中原材料比重的細(xì)微差異將直接影響光刻膠的性能，且配方難以逆向解析，嚴(yán)重依賴于經(jīng)驗(yàn)積累所形成的技術(shù)專利。

原材料：上游原材料是影響光刻膠品質(zhì)的重要因素，目前我國(guó)光刻膠原材料市場(chǎng)基本被國(guó)外廠商壟斷，尤其是樹(shù)脂和感光劑高度依賴于進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率很低，由此增加了國(guó)內(nèi)光刻膠生產(chǎn)成本以及供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

設(shè)備驗(yàn)證：送樣前，光刻膠生產(chǎn)商需要購(gòu)置光刻機(jī)用于內(nèi)部配方測(cè)試，根據(jù)驗(yàn)證結(jié)果調(diào)整配方。光刻機(jī)設(shè)備昂貴，數(shù)量有限且供應(yīng)可能受國(guó)外限制，尤其是EUV光刻機(jī)目前全球只有ASML能批量供應(yīng)。

市場(chǎng)空間|2022年全球光刻膠

市場(chǎng)有望達(dá)到123億美元

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模：據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2019年全球光刻膠市場(chǎng)為82億美元，預(yù)計(jì)2026年有望達(dá)123億美元，2019-2026年年復(fù)合增速約為6%。

中國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模：得益于PCB、LCD、半導(dǎo)體等產(chǎn)業(yè)制造產(chǎn)能的東移，國(guó)內(nèi)上游的電子材料產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，中國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模從2016年的53.2億元增長(zhǎng)至2020年的84億元，預(yù)計(jì)2021年為93.3億元，同比增長(zhǎng)11%。

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模（億美元）：

中國(guó)光刻膠市場(chǎng)規(guī)模（億元）：

市場(chǎng)空間|2025年中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠

市場(chǎng)有望達(dá)100億元

全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模：據(jù)TECHCET預(yù)測(cè)，2021年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％，達(dá)到19億美元。在全球缺貨的大環(huán)境下，芯片制造，尤其是晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求為半導(dǎo)體光刻膠提供了持久的增長(zhǎng)動(dòng)力。未來(lái)幾年，全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)將保持穩(wěn)定的增長(zhǎng)。

中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模：據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)光刻膠半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模從2015年的1.3億美元增長(zhǎng)至2020年的3.5億美元。隨著國(guó)內(nèi)晶圓代工產(chǎn)能的不斷提升，2025年中國(guó)光刻膠半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到100億元，2020-2025年年復(fù)合增速將達(dá)到35%，明顯高于全球市場(chǎng)增速。

全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模（百萬(wàn)美元）：

中國(guó)半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模（億美元）：

需求端|晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)是拉動(dòng)行業(yè)

增長(zhǎng)的重要驅(qū)動(dòng)因素

SEMI的數(shù)據(jù)顯示，2017-2020年間全球投產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓廠為62座，其中有26座設(shè)于中國(guó)大陸，占全球總數(shù)的42%。預(yù)計(jì)從2020年到2024年至少新增38個(gè)12英寸晶圓廠，其中中國(guó)將新建19座（中國(guó)臺(tái)灣11座，中國(guó)大陸8座）。8吋晶圓月產(chǎn)能至2024年也將達(dá)660萬(wàn)片規(guī)模。光刻膠等半導(dǎo)體材料供應(yīng)商將有望受益于擴(kuò)產(chǎn)浪潮。

全球8英寸晶圓廠月產(chǎn)能（千片）：

全球晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)：

需求端|中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)突飛

猛進(jìn)，光刻膠增長(zhǎng)強(qiáng)勁

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模：半導(dǎo)體材料分為前道晶圓制造材料和后道封裝材料兩類，以前者為主，主要包括硅片、光刻膠、掩膜版、濺射靶材、電子特氣、濕電子化學(xué)品、CMP拋光材料等。

• 根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2020年，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)至553.1億美元，其中晶圓制造材料為349億美元；中國(guó)大陸市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)至97.6億美元，首次成為全球第二大市場(chǎng)，增速12%，增幅躍居全球第一。

光刻膠增長(zhǎng)強(qiáng)勁：在晶圓制造材料細(xì)分市場(chǎng)中，增長(zhǎng)最為強(qiáng)勁的是光刻膠和光刻膠配套材料、濕化學(xué)品以及CMP拋光材料。據(jù)統(tǒng)計(jì)，光刻膠和光刻膠配套試劑分別占晶圓制造材料市場(chǎng)的6%和8%。

全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模（億美元）：

2020年晶圓制造材料市場(chǎng)結(jié)構(gòu)：

行業(yè)趨勢(shì)|光刻膠市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

變化，EUV增速最快

全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)呈結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)，據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)顯示，2020年和2021年，用于KrF和ArF i的光刻膠市場(chǎng)較高，而EUV的應(yīng)用范圍正在從邏輯芯片擴(kuò)展到DRAM，預(yù)計(jì)2021年EUV光刻膠市場(chǎng)超過(guò)2000萬(wàn)美元，到2025年將超過(guò)2億美元，年復(fù)合增速超過(guò)50%。然而目前，EUV光刻膠的市場(chǎng)幾乎被日本的TOK、信越化學(xué)和JSR三分天下。

半導(dǎo)體光刻膠細(xì)分品類應(yīng)用范圍比較：

半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化：

2019--2021年ASML光刻機(jī)銷售額結(jié)構(gòu)變化：

業(yè)績(jī)靚眼|ASML光刻機(jī)供不

應(yīng)求，布局下一代EUV

設(shè)備供不應(yīng)求，預(yù)計(jì)2022年銷售額將繼續(xù)增長(zhǎng)20%：

• 近日，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML發(fā)布了2021年度財(cái)報(bào)，實(shí)現(xiàn)186.1億歐元銷售收入，同比增長(zhǎng)33%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)58.8億歐元，同比增長(zhǎng)65.6%。2021年，ASML共交付了42臺(tái)EUV光刻機(jī)，貢獻(xiàn)營(yíng)收63億歐元，營(yíng)收占比33.85%，平均每臺(tái)售價(jià)1.5億歐元。

  
  

• 此外，ASML還銷售了81臺(tái)ArFi光刻機(jī)、131臺(tái)KrF光刻機(jī)。由于當(dāng)前需求量比最大供給量高出40%-50%，ASML預(yù)計(jì)2022年銷售額將繼續(xù)增長(zhǎng)20%。此外，ASML宣布已收到英特爾對(duì)下一代光刻機(jī)EXE：5200的訂單，該光刻機(jī)單價(jià)將超過(guò)3.4億美元。

ASML2021年?duì)I收增幅結(jié)構(gòu)：

ASML2019--2021年光刻機(jī)交付數(shù)量（臺(tái)）：

ASML新一代EUV光刻系統(tǒng)TWINSCAN NXE:3600D：

產(chǎn)業(yè)鏈及主要

代表企業(yè)

競(jìng)爭(zhēng)格局|市場(chǎng)高度集中，

長(zhǎng)期被日企壟斷

日本稱霸，寡頭壟斷：全球光刻膠市場(chǎng)長(zhǎng)期被日美高度壟斷，數(shù)據(jù)顯示，日本的合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）位居一二，CR5高達(dá)87%。

在半導(dǎo)體光刻膠領(lǐng)域，日本企業(yè)依然占據(jù)領(lǐng)先地位，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體光刻膠的壟斷。前五中除了美國(guó)杜邦，其余四家均為日本企業(yè)。其中JSR、TOK的產(chǎn)品可以覆蓋所有半導(dǎo)體光刻膠的品種，是絕對(duì)的龍頭，尤其在高端的EUV市場(chǎng)高度壟斷。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)仍主要以PCB用光刻膠供應(yīng)為主，面板、半導(dǎo)體用光刻膠自給率依然很低。

2019年全球光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局：

2019年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局：

國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)：

競(jìng)爭(zhēng)格局|國(guó)內(nèi)中高端產(chǎn)品與國(guó)外

差距較大，自給率嚴(yán)重不足

細(xì)分市場(chǎng)格局：從細(xì)分品類來(lái)看，目前國(guó)內(nèi)廠商主要以紫外寬譜、G線、I線等低端領(lǐng)域產(chǎn)品為主，毛利率相對(duì)較低，國(guó)內(nèi)廠商的產(chǎn)品已經(jīng)占據(jù)了一定的市場(chǎng)份額。而高端領(lǐng)域的KrF、ArF、EUV光刻膠在技術(shù)、產(chǎn)品、產(chǎn)能方面均與國(guó)外存在較大差距，目前仍主要依賴于進(jìn)口，處于被國(guó)外巨頭壟斷的現(xiàn)狀，國(guó)內(nèi)公司量產(chǎn)層面近乎空白，尤其是EUV光刻膠，國(guó)內(nèi)尚無(wú)一家企業(yè)有產(chǎn)品問(wèn)世。

2020年全球g/i i線光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局：

2020年全球KrF光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局：

2020年全球ArF光刻膠市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局：

復(fù)盤|光刻膠和光刻機(jī)

發(fā)展史中的里程碑

復(fù)盤啟發(fā)|歷史市場(chǎng)份額變化的背后

是行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素

復(fù)盤光刻膠產(chǎn)業(yè)從美國(guó)轉(zhuǎn)移到日本并由日本企業(yè)主導(dǎo)，即使在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移、日本光刻機(jī)企業(yè)失去地位后依然能稱霸全球的歷史，啟發(fā)我們找到背后行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素有——行業(yè)需求、配套的光刻機(jī)技術(shù)、制程適配度以及產(chǎn)業(yè)鏈集群等。

行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素：

• 受下游需求影響：戰(zhàn)后半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美國(guó)轉(zhuǎn)移到日本，下游家電的繁榮發(fā)展帶動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)需求，驅(qū)動(dòng)日本光刻膠和光刻機(jī)技術(shù)快速發(fā)展。

  
  

• 需與配套的光刻機(jī)技術(shù)協(xié)同發(fā)展：在g/i線時(shí)代，日本光刻機(jī)廠商優(yōu)勢(shì)明顯，帶動(dòng)了日本光刻膠的發(fā)展。進(jìn)入248nm光源之后，ASML逐漸追上。事實(shí)上，2003年ASML還開(kāi)發(fā)過(guò)157nm的F2光源，但由于物鏡配套材料存在吸收問(wèn)題并未商用，這反而因禍得福，在開(kāi)發(fā)出浸沒(méi)式光刻技術(shù)后進(jìn)一步擴(kuò)大了領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

應(yīng)與制程需求

相匹配

雖然IBM早于TOK研發(fā)出KrF光刻膠且處于領(lǐng)先地位，但在1995年之前，下游應(yīng)用制程的特征尺寸仍集中在0.35μm以上，i線光刻膠更具性價(jià)比，KrF的優(yōu)勢(shì)并不明顯。之后，i線光刻極限無(wú)法滿足制程節(jié)點(diǎn)需求，KrF光刻膠就此發(fā)展起來(lái)。

產(chǎn)業(yè)鏈上下游集群緊密配合

除了積累的技術(shù)、專利、行業(yè)經(jīng)驗(yàn)等壁壘外，日本光刻膠企業(yè)依然屹立不倒，主要在于產(chǎn)業(yè)鏈上下游分工明確、高度協(xié)同、緊密配合。上游原材料生產(chǎn)企業(yè)中，日企數(shù)量近半，產(chǎn)業(yè)鏈集群優(yōu)勢(shì)明顯。

背景及政策|政策持續(xù)加碼，

國(guó)產(chǎn)替代乃大勢(shì)所趨

政策頻出，為國(guó)產(chǎn)替代浪潮推波助瀾：

• 光刻膠是集成電路領(lǐng)域微加工的關(guān)鍵性材料，為推動(dòng)光刻膠等半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，國(guó)家、地方層面政策先后出臺(tái)。

  
  

• 其中，既有國(guó)家層面印發(fā)的戰(zhàn)略性、鼓勵(lì)性、支持性政策等，也有各個(gè)省市進(jìn)一步落實(shí)國(guó)家政策發(fā)布的規(guī)劃、意見(jiàn)、指導(dǎo)目錄等。

• 尤其在中美貿(mào)易沖突的影響下，產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全和自主可控成為重中之重，國(guó)產(chǎn)替代迫在眉睫，乃行業(yè)發(fā)展的大勢(shì)所趨。
  

與光刻膠相關(guān)的政策：

• 2014.06國(guó)務(wù)院《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》：從國(guó)家戰(zhàn)略層面系統(tǒng)全面的為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)定下發(fā)展方向和重點(diǎn)，其中提出要開(kāi)發(fā)光刻膠等關(guān)鍵材料，研發(fā)光刻機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)配套能力。

  
  

• 2015.05商務(wù)部《國(guó)家重點(diǎn)支持的高新技術(shù)領(lǐng)域（2015）》：將分辨率光刻膠及配套化學(xué)品列入“精細(xì)化學(xué)品”大類下的“電子化學(xué)品”項(xiàng)。

  
  

• 2017.05科技部“十三五”先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》：將深紫外光刻膠列為極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝的關(guān)鍵材料。

  
  

• 2019.12工信部《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019年版)》：將集成電路用光刻膠及其關(guān)鍵原材料和配套試劑、ArF光刻膠用脂環(huán)族環(huán)氧樹(shù)脂、g/i線正性光刻膠用酚醛樹(shù)脂列入推薦材料。

  
  

• 2020.08國(guó)務(wù)院《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》：為進(jìn)一步優(yōu)化集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，深化產(chǎn)業(yè)國(guó)際合作，提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和發(fā)展質(zhì)量，在財(cái)稅、投融資、研究開(kāi)發(fā)、進(jìn)出口、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、市場(chǎng)應(yīng)用、國(guó)際合作等八個(gè)方面出臺(tái)引導(dǎo)性及鼓勵(lì)性政策措施。

  
  

• 2021.03發(fā)改委、工信部、財(cái)政部等《關(guān)于做好享受稅收優(yōu)惠政策的集成電路企業(yè)或項(xiàng)目、軟件企業(yè)清單制定工作有關(guān)要求的通知》：光刻膠生產(chǎn)企業(yè)入圍清單，可享受稅收優(yōu)惠政策。

  
  

• 2021.07上海市政府《上海市戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)和先導(dǎo)產(chǎn)業(yè)發(fā)展‘十四五’規(guī)劃》：明確提出要提升先進(jìn)光刻膠研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化能力。

  
  

• 2015.06江蘇省政府《江蘇省政府關(guān)于加快全省集成電路發(fā)展的意見(jiàn)》：大力發(fā)展集成電路用化學(xué)試劑、光刻膠等關(guān)鍵材料，支持國(guó)產(chǎn)材料的規(guī)?；瘧?yīng)用。

  
  

• 2021.06浙江省政府《浙江省新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展“十四五”規(guī)劃》：重點(diǎn)發(fā)展的新材料先進(jìn)半導(dǎo)體材料包括大規(guī)模集成電路制程用關(guān)鍵材料以及配套的光刻膠等基礎(chǔ)材料。

  
  

• 2020.02廣東省政府《加快半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干意見(jiàn)的通知》：加快光刻膠、高純度化學(xué)試劑、電子氣體等材料研發(fā)生產(chǎn)。

供給端|信越斷供，國(guó)內(nèi)

廠商迎來(lái)窗口期

大基金持續(xù)加碼，核心材料國(guó)產(chǎn)化刻不容緩：除了政策扶持，還有資金在持續(xù)加碼。

• 早在一期國(guó)家大基金就投資了晶瑞電材等公司，二期更是將半導(dǎo)體材料作為重點(diǎn)布局領(lǐng)域，例如作為戰(zhàn)略投資者參與南大光電定增。此外，2019年7月起，日本限制向韓國(guó)出口光刻膠的舉動(dòng)也給國(guó)內(nèi)敲響了警鐘。

  
  

• 光刻膠保質(zhì)期通常在6個(gè)月以內(nèi)，無(wú)法囤貨，一旦斷供可能會(huì)引起停產(chǎn)的嚴(yán)重局面，由此核心材料國(guó)產(chǎn)化重要性更加凸顯。

短期供給受限，國(guó)內(nèi)廠商迎來(lái)導(dǎo)入窗口期：2021年5月，由于受到前期地震的影響，日本信越化學(xué)的產(chǎn)能遭到?jīng)_擊，向中國(guó)大陸多家一線晶圓廠限制供貨KrF光刻膠，部分中小晶圓廠甚至遭遇斷供，這反而給了國(guó)內(nèi)廠商絕佳的客戶驗(yàn)證、產(chǎn)品導(dǎo)入窗口期。

上海新陽(yáng)光刻膠募投項(xiàng)目進(jìn)度表：

供給端|追風(fēng)趕月莫停留，

平蕪盡處是春山

面對(duì)契機(jī)，國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)開(kāi)始布局中高端產(chǎn)品，加大研發(fā)投入，同時(shí)紛紛積極建設(shè)生產(chǎn)線，擴(kuò)建光刻膠及其配套試劑的產(chǎn)能，同步進(jìn)行客戶驗(yàn)證，并向產(chǎn)業(yè)鏈上游原材料領(lǐng)域延伸，與上下游公司緊密合作開(kāi)展業(yè)務(wù)，旨在實(shí)現(xiàn)核心材料一體化，以減少供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)同時(shí)降低成本。

此外，在內(nèi)生的基礎(chǔ)上，企業(yè)也注重開(kāi)展外延并購(gòu)和外部合作，加快提升自身核心競(jìng)爭(zhēng)力。例如彤程新材旗下的北京科華與杜邦達(dá)成了戰(zhàn)略合作，開(kāi)展先進(jìn)光刻膠和其它光刻材料的合作；上海新陽(yáng)與賀利氏開(kāi)展合作共同開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體用光刻膠產(chǎn)品和相關(guān)材料。

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠重點(diǎn)廠商布局：

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻膠重點(diǎn)廠商擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目：

• 南大光電：募投1.5億元用于光刻膠項(xiàng)目，建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠、年產(chǎn)20噸ArF浸沒(méi)式光刻膠產(chǎn)線、年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┑漠a(chǎn)線以及年產(chǎn)350噸高純顯影液產(chǎn)線，產(chǎn)品性能滿足90nm-14nm集成電路制造的要求。

  
  

• 晶瑞電材：發(fā)行可轉(zhuǎn)債募集資金，其中3.13億元用于集成電路制造用高端光刻膠研發(fā)項(xiàng)目，完成90-28nm用ArF光刻機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。子公司年產(chǎn)1200噸集成電路關(guān)鍵電子材料項(xiàng)目建設(shè)光刻膠中間體1000噸/年、光刻膠1200噸/年（g/i線擴(kuò)產(chǎn)），計(jì)劃于2022年10月建成投產(chǎn)。

  
  

• 彤程新材：自籌資金6.9853億元投資建設(shè)ArF高端光刻膠研發(fā)平臺(tái)，預(yù)計(jì)2023年末建成，主要研發(fā)ArF濕法光刻膠。子公司彤程電子在上?；^(qū)投資建設(shè)年產(chǎn)1千噸半導(dǎo)體光刻膠、1萬(wàn)噸平板顯示用光刻膠、2萬(wàn)噸配套試劑的生產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2022年內(nèi)開(kāi)始分批投產(chǎn)。

• 上海新陽(yáng)：定增擬將8.15億元用于集成電路制造用高端光刻膠研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，主要開(kāi)發(fā)ArF干法光刻膠和面向3D NAND臺(tái)階刻蝕的KrF厚膜光刻膠。合肥工廠正建設(shè)半導(dǎo)體高端光刻膠系列產(chǎn)品年產(chǎn)能500噸。ArF干法光刻膠通過(guò)驗(yàn)證后預(yù)計(jì)2022年年產(chǎn)能5000加侖（約合18.93噸）。