三星3nm晶圓全球首秀，將搶先臺(tái)積電量產(chǎn)

5月23日消息，三星曾在去年10月的“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動(dòng)上，宣布將于2022年上半年領(lǐng)先臺(tái)積電量產(chǎn)3nm制程。近日，在美國總統(tǒng)拜登參觀三星平澤晶圓廠之時(shí)，三星首次公開展示了其3nm工藝制造的12英寸晶圓。按計(jì)劃，三星將在今年Q2季度量產(chǎn)，比臺(tái)積電還要早一些。

對三星來說，3nm節(jié)點(diǎn)是他們押注芯片制程工藝趕超臺(tái)積電的關(guān)鍵，因?yàn)榕_(tái)積電的3nm工藝不會(huì)上下一代的GAA（全環(huán)繞柵極）晶體管技術(shù)，三星的3nm節(jié)點(diǎn)則搶先啟用GAA技術(shù)，這是一種新型的環(huán)繞柵極晶體管，通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術(shù)。

根據(jù)三星的說法，與7nm制造工藝相比，3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了約35%，紙面參數(shù)上來說卻是要優(yōu)于臺(tái)積電3nm FinFET工藝。

根據(jù)三星之前的規(guī)劃，其3nm GAA工藝將在2022年Q2季度量產(chǎn)。不過，根據(jù)之前韓國媒體的爆料顯示，三星4nm制程良率僅35%，3nm GAA 制程良率剛達(dá)10%~20%。這也意味著其真正商用量產(chǎn)的時(shí)間可能會(huì)推遲。高通此前已經(jīng)因?yàn)槿?nm良率問題將驍龍8＋交給了臺(tái)積電4nm代工，因此高通下一代旗艦芯片可能不會(huì)率先采用三星3nm工藝，更為可能是三星自家的Exynos處理率先“趟雷”。

編輯：芯智訊-林子