三星計劃于2025年量產(chǎn)2nm芯片
6月20日消息，據(jù) BusinessKorea 報道，三星電子正計劃通過在未來三年內(nèi)打造2納米GAA（Gate-all-around）工藝來追趕臺積電。
據(jù)悉，GAA 是下一代工藝技術，改進了半導體晶體管的結構，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，而不是目前 FinFET 工藝的三面，GAA 結構可以比 FinFET 工藝更精確地控制電流。
根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，在 2021 年第四季度，臺積電占全球代工市場的 52.1%，遠遠超過三星電子的 18.3%。
三星電子正押注于將 GAA 技術應用于3納米工藝，以追趕臺積電。據(jù)報道，這家韓國半導體巨頭在6月初將3納米GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為全球第一家使用GAA技術的公司。三星希望通過技術上的飛躍，快速縮小與臺積電的差距。3 納米工藝將半導體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時與 5 納米工藝相比，芯片面積減少了35%。
繼今年上半年將 GAA 技術應用于其 3 納米工藝后，三星計劃在 2023 年將其引入第二代 3 納米芯片，并在 2025 年大規(guī)模生產(chǎn)基于 GAA 的 2 納米芯片。臺積電的戰(zhàn)略是在今年下半年使用穩(wěn)定的 FinFET 工藝進入 3 納米半導體市場，而三星電子則押注于 GAA 技術。
專家稱，如果三星在基于 GAA 的 3 納米工藝中保證了穩(wěn)定的產(chǎn)量，它就能成為代工市場的游戲規(guī)則改變者。臺積電預計將從 2 納米芯片開始引入 GAA 工藝，并在 2026 年左右發(fā)布第一個產(chǎn)品。對于三星電子來說，未來三年將是一個關鍵時期。
最近，三星宣布，在未來五年內(nèi)，將在半導體等關鍵行業(yè)投資共計 450 萬億韓元（約 2.34 萬億元人民幣）。然而，三星在 3 納米工藝良率方面遇到了障礙。與三星一樣，臺積電在提高 3 納米工藝的產(chǎn)量方面也有困難。
臺積電原本計劃從 7 月開始用 3 納米技術為英特爾和蘋果大規(guī)模生產(chǎn)半導體，但據(jù)DigiTimes 報道稱，臺積電在確保 3 納米工藝的理想產(chǎn)量方面遇到了困難，因此多次修改其技術路線圖。
三星電子也面臨著類似的情況，3 納米工藝的試生產(chǎn)用晶圓已經(jīng)投入使用，但由于良率低的問題，該公司一直在推遲宣布正式的大規(guī)模生產(chǎn)。現(xiàn)代汽車證券的研究主管 Roh Keun-chang 說：“除非三星電子為其 7納米 或更先進的工藝確保足夠的客戶，否則可能會加劇投資者對三星電子未來業(yè)績的焦慮。
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