半導(dǎo)體刻蝕：芯片制造核心設(shè)備，國產(chǎn)化典范

刻蝕主要負責(zé)去除特定區(qū)域的材料從而形成微小的結(jié)構(gòu)圖案，與光刻、薄膜沉積并稱為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備，占半導(dǎo)體前道設(shè)備價值總量的22%，地位舉足輕重。等離子體干刻是目前刻蝕的主流方案，包括ICP和CCP兩大類，ICP可用于硅、金屬以及部分介質(zhì)刻蝕，CCP主要用于介質(zhì)刻蝕，兩者市占率平分秋色。

隨著晶體管尺寸不斷縮小，對刻蝕的精準度要求更高，原子層刻蝕（ALE）登場，其可以看做是ALD的鏡像過程，具備自停止屬性，刻蝕精度達單原子層級，已經(jīng)應(yīng)用于自對準接觸等需原子級精密控制的工藝中，頗具潛力。

全球刻蝕設(shè)備市場屬于寡頭壟斷格局，LAM、TEL、AMAT三巨頭長期占據(jù)全球九成以上的市場份額，LAM一家市占率就接近五成，壟斷性強。然而，刻蝕也是國內(nèi)率先取得突破的半導(dǎo)體核心設(shè)備，已成功打破海外壟斷進入國際市場，2015年，美國商務(wù)部取消了等離子體刻蝕機對中國的出口控制，側(cè)面印證了國內(nèi)刻蝕設(shè)備已經(jīng)取得突破。

中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐股份等廠商在刻蝕設(shè)備的國產(chǎn)化方面做出了突出貢獻。總體看，國內(nèi)刻蝕設(shè)備成功打破海外壟斷，達到國際先進水平，是國產(chǎn)替代的典范。

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