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          拳打ASML!俄羅斯自研超越EUV級別的光刻機是在“吹牛X”嗎?

          共 3824字,需瀏覽 8分鐘

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          2022-04-19 20:30

          資料來源:量子位、芯智訊等

          作者:Alex

          物聯(lián)網(wǎng)智庫 整理發(fā)布


          導讀

          “機器一開,黃金萬兩”,這不是說的印鈔機,而是不亞于印鈔機的光刻機。近日俄羅斯宣布首期投資6.7億盧布,派出俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學院。目標劍指當今全球最先進的EUV(極紫外)光刻機。
          “反正都是突圍,從TND哪個方向突圍不是突圍啊?”當年一部現(xiàn)象級電視劇《亮劍》中,李云龍在蒼云嶺反掃蕩中正面突圍的劇情現(xiàn)在看來仍舊令人心血沸騰。而近日在半導體領(lǐng)域,面臨美國芯片制裁的大棒全方位呼來,俄羅斯也打起了半導體制裁的“突圍”戰(zhàn),并且也要“正面突圍”。

          從俄羅斯的計劃來看,這次“突圍”戰(zhàn)可能不僅要打的成功,而且還要打出一片新天地來。為此,俄羅斯不僅制定了長期投資計劃,首期投資6.7億盧布(約合人民幣5100萬元),還派出了有著“國家隊”之稱的俄羅斯莫斯科電子技術(shù)學院(MIET)。目標也是相當不含糊,直接就是挑戰(zhàn)當今全球最先進的EUV(極紫外)光刻機。

          此消息一經(jīng)爆料,立刻在國內(nèi)引發(fā)了熱烈討論。與俄羅斯一樣,受制于某些眾所周知的原因,近年來國內(nèi)半導體行業(yè)不斷遭受重大打擊,國民同樣渴望先進的國產(chǎn)光刻機,打破漂亮國的技術(shù)“卡脖子”。對于俄羅斯自研光刻機,或許在一部分人眼中是“異想天開”的計劃,然而如果冷靜下來環(huán)顧思考,這何嘗不是為我們提供另一種思路的可能呢?

          比印鈔機還值錢的光刻機


          “機器一開,黃金萬兩”,這不是說的印鈔機,而是不亞于印鈔機的光刻機。如果你對這句話沒有概念,不妨看一下阿斯麥(ASML)公司在近些年中的股價走勢。根據(jù)東方財富網(wǎng)的數(shù)據(jù)顯示,在近20年的時間里,ASML的股價從不足50美元翻了十余倍,尤其從2019年開始,股價更是一路飛漲,最高時一度接近900美元,近期其股價雖然有所回落,但仍高達594美元,總市值為2391億美元。


          然而事實上,ASML真正成為一家在半導體行業(yè)內(nèi)呼風喚雨的企業(yè),也未超過10年。早在上個世紀80年代,ASML僅僅是飛利浦旗下的一家合資小公司,算上老板共有31位員工。與之相比,它的對手卻一個比一個威風、一個比一個雄厚,比如當時無可爭議的巨頭尼康。真正讓ASML和尼康,甚至與世界拉開差距的,正是我們?nèi)缃裥闹心钅畈煌腅UV光刻機。

          簡單來說,光刻機就是以光作刀,其本質(zhì)與投影儀+照相機相差無幾,就是把設計好的電路圖投射到硅片之上。因此,在1970以前,現(xiàn)在看來高大上的光刻機的門檻并不算高。1977年我國最早的光刻機GK-3型半自動光刻機誕生時,現(xiàn)在的巨頭ASML甚至還尚未出現(xiàn),那么到底是什么掣肘了光刻機的發(fā)展呢?

          “半導體行業(yè)皇冠上的明珠”絕非一句夸張之詞。光刻機的原理雖然簡單,但制造過程卻十分不易。僅一臺光刻機就由10萬余個零部件組成,集合了數(shù)學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟件、圖像識別等數(shù)十領(lǐng)域頂尖的技術(shù)。



          更重要的是,光刻機從半導體行業(yè)中獨立而出形成了范圍極廣、內(nèi)容極復雜的全球供應鏈體系。以ASML 7nm制程的EUV光刻機為例,其內(nèi)部90%的關(guān)鍵零部件來自國外,有超過5000多個供應商,比如其中鏡頭來自于德國的蔡司,特殊的復合材料來自于日本,工業(yè)靜謐機床來自于瑞典,先進控制軟件、電源則來自于美國。

          縱觀ASML的成長史,其成功的背后更多的也是靠“朋友圈”,英特爾在1997年攢起來的EUV LLC聯(lián)盟幫了大忙。當然,ASML為進入這一聯(lián)盟也付出了巨大的代價,包括在美國建立工廠和研發(fā)中心,保證55%的零部件均從美國供應商處采購,甚至接受定期審查(美國可以禁止荷蘭光刻機出口中國的原因主要原因),但這卻為ASML“咸魚翻身”埋下了伏筆。除了技術(shù)之外,2013年ASML收購美國的Cymer公司更是成了它現(xiàn)在能獨占鰲頭的關(guān)鍵。


          因此,在2010年ASML出貨第一臺預生產(chǎn)的EUV光刻機時,雖然俄羅斯的一個物理研究所IPM(RAS)也在開發(fā)EUV的系統(tǒng)和元件,以及裝置原型的搭建,并且取得了一些成果。比如開發(fā)人員提出的輻射源設計的原始解決方案,部分還應用到了ASML的光刻機上。但最終卻還是以失敗告終。

          RAS首席研究員、蘇聯(lián)國家獎獲得者、多層X射線光學系主任Salashchenko Nikolay甚至直言:一個國家是無法單獨推動這項工作的,而全世界都在幫助荷蘭(ASML)。

          俄羅斯的美好愿望


          很多人以為俄羅斯的光刻機制造計劃是由于美國的制裁臨時發(fā)起的,其實不然。上面提到俄羅斯在2010年時,甚至一度與ASML并跑。實際上,俄羅斯的光刻機相關(guān)研究早在上世紀80年代就開始了。當時負責研發(fā)同步輻射加速器的是澤列諾格勒科學中心,后來被并入了大名鼎鼎的庫爾恰托夫研究所,蘇聯(lián)第一顆原子彈、第一顆氫彈、歐洲第一座原子反應堆、世界第一座原子能發(fā)電站,皆出自它手。

          而此次負責這項計劃的是MIET,是俄羅斯的一所國立研究型高等院校,1965年成立至今已過半百。而該校的特色學科就是微電子學、信息技術(shù)和計算機工程。學院共有學生6500多人,其中研究生250多人、副博士(按照歐美及中國學制為Phd學位)270人、博士5人。

          在經(jīng)歷了一輪的失敗后,俄羅斯這次計劃選擇不同于ASML的極紫光技術(shù)的路線,而是基于X射線的無掩膜式光刻。

          首先從光源的選擇來看,一種是極紫外光線,波長在13.5nm,另一種為X射線,波長介于0.01nm至10nm之間。光刻機的架構(gòu)及技術(shù)很復雜,但決定光刻機分辨率的主要因素只有三點,包括常數(shù)K、光源波長和物鏡的數(shù)值孔徑。波長越短,分辨率就越高。因此,在光源選擇上來看,理論上X射線比EUV極紫外光線更短,分辨率也就更高。



          其次從生產(chǎn)的成本和方式來看,EUV光刻機是特定波長的光透過用來放大的掩膜,再通過透鏡的縮小,將集成電路精確的“投影”在硅片上。而X射線雖然波長更短但穿透性也更強,用普通透鏡無法進行放大和縮小,因此也就無法實現(xiàn)投影光刻,而是采用直寫光刻的方式。這樣一來,光刻機也就不需要光掩膜板,可以節(jié)省一大筆成本。

          正是因為X射線光刻機的這兩點優(yōu)勢,當?shù)孛襟w甚至宣傳這將是全球都沒有的光刻機,ASML也做不到。當然事實也的確如此,根據(jù)媒體信息披露,X射線光刻機雖然并不是新技術(shù),包括美國、歐洲、中國等都對此進行過研究,但全球確實至今沒有能達到規(guī)模量產(chǎn)的x射線光刻機。

          另外,X射線光刻機的工作效率也是一大挑戰(zhàn)。對于直接通過強激光束將所需電路一點一點雕刻在硅片上的方式,這個效率想要實現(xiàn)納米級集成電路確實不敢恭維。

          根據(jù)計劃,俄羅斯針對X射線工藝及效率的提升,計劃將完成對主要技術(shù)解決方案的驗證,包括基于動態(tài)掩膜模型的制造和兩項控制實驗研究。最早將于今年11月開發(fā)動態(tài)掩膜的技術(shù)和模型,以及原型光刻機的技術(shù)規(guī)范和可行性研究,工藝要達到28nm及以上。

          給國內(nèi)半導體發(fā)展的啟示


          長久以來,國內(nèi)半導體的發(fā)展現(xiàn)狀一直“以買代造”,然而一輪大棒揮下發(fā)現(xiàn),錢財買得來產(chǎn)品卻買不來核心技術(shù);市場換得來投資卻換不來行業(yè)創(chuàng)新。更難的是,隨著美國禁令加劇,現(xiàn)在產(chǎn)品和投資進入國內(nèi)企業(yè)的可能也不容樂觀。


          從技術(shù)來看,盡管國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)有了前所未有的使命感,并在一些關(guān)鍵技術(shù)上取得了突飛猛進的發(fā)展,但短期內(nèi)想要突破EUV光刻機無疑還是不可能的任務。也難怪一名歐洲高級專家曾直言,“就是給你們?nèi)讏D紙,你們也做不出來”,當然我們后來打了他的臉,但面向更高級別的EUV光刻機,雖然不質(zhì)疑國內(nèi)企業(yè)的能力,但實際困難畢竟擺在那里,不能視而不見。


          當然,跟隨只能永遠落于人后,無論從通信歷史來看,還是國內(nèi)已經(jīng)領(lǐng)先的領(lǐng)域來看,想要后發(fā)先至,就必須在追逐中實現(xiàn)“彎道超車”,這樣才能避免步步跟不上對手。在“是否能繞過EUV光刻機”的探討中,國內(nèi)也在不斷嘗試。

          比如去年華為披露的“雙芯疊加”專利。華為輪值董事長郭平曾公開表示:“解決芯片問題是一個復雜的漫長過程,需要有耐心,未來我們的芯片方案可能采用多核結(jié)構(gòu),以提升芯片性能。”“雙芯疊加”實際上就是通過修改設計邏輯和先進封裝工藝,將雙層的技術(shù)做到低端制程、高端性能。雖然這一消息曾在去年被網(wǎng)友百般嘲諷,但隨著今年的小芯片概念普及,特別是蘋果將兩個M1 max芯片合成M1 Ultra之后,讓更多人開始關(guān)注到摩爾定律失效后的探索。

          除此之外,發(fā)展半導體作為一項國家戰(zhàn)略,政府與企業(yè)之間也應該長期而富有戰(zhàn)略性的引導和投入,一方面政府與企業(yè)共同承擔風險,做企業(yè)背后的支柱;另一方面,通過技術(shù)聯(lián)盟,集合國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢力量,也是半導體突圍戰(zhàn)的必要舉措。

          最后,技術(shù)創(chuàng)新需要以人才為動力。任正非曾說過,“做芯片光砸錢不行,還要砸人。目前這種形勢,我們確實會受到影響,但也能刺激中國踏踏實實發(fā)展電子工業(yè)。過去的方針是砸錢,芯片光砸錢不行,要砸數(shù)學家、物理學家等。”

          參考資料:

          1.《投資6.7億盧布,俄羅斯宣布研發(fā)X射線光刻機!比ASML的EUV光刻機還要先進?》,芯智訊
          2.《給我們?nèi)讏D紙,中國人都造不出高端光刻機?!》,財經(jīng)國家周刊
          3.《光刻機大敗局》,遠川科技評論
          4.《大國博弈光刻機,中國如何破局?》,正和島
          5.《美國斷供芯片,俄羅斯決定從頭開造光刻機》,量子位
          6.《國產(chǎn)光刻機的發(fā)展史回顧》,半導體行業(yè)觀察
          7.《ASML的光刻機霸主之路》,半導體行業(yè)觀察

          4月22日,線上

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