存儲器產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀（數(shù)據(jù)分析）
《1、半導(dǎo)體行業(yè)存儲器技術(shù)研究》
《2、存儲器結(jié)構(gòu)性分道篇－重內(nèi)存》
? 市場預(yù)測與趨勢：
2020年DRAM和NAND的合并收益為1220億美元，較2019年增長了15%。
NAND和DRAM都是商品類產(chǎn)品，分別被用作智能手機(jī)、SSD、個人電腦、服務(wù)器和車輛等的存儲性和工作性存儲器。
DRAM和NAND占獨(dú)立存儲器市場份額的96％。DRAM和NAND的收益預(yù)期將分別以15％和8％的CAGR 2020-2026增長。
新冠疫情對內(nèi)存行業(yè)產(chǎn)生的影響是多方面的。數(shù)據(jù)中心和筆記本電腦的需求有所增長，而汽車和智能手機(jī)則面臨增速放緩。在近年來供應(yīng)商削減資本支出和需求旺盛的共同作用下，未來看起來頗為光明，特別是對DRAM而言。
? 產(chǎn)品演進(jìn)：
2020年，領(lǐng)先3D NAND制造商們一直在大力生產(chǎn)新一代的1xxL存儲器......與此同時，繼美光之后，三星和SK海力士半導(dǎo)體一直在加緊1z工藝DRAM的量產(chǎn)步伐。
處理器存儲器接口正在快速發(fā)展，以滿足新興的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的需求：存儲器容量必須提升，而存儲器和CPU之間的帶寬必須增加。
? 供應(yīng)鏈：
NAND市場的整合始于SK海力士半導(dǎo)體對英特爾3D NAND業(yè)務(wù)的收購。三星，SK海力士半導(dǎo)體和美光的DRAM地位壟斷在2020年基本保持不變，三星是無可爭議的佼佼者,市場份額高達(dá)42％。
數(shù)據(jù)來源：
《存儲器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀報告》，Yole Développement，2021
《DRAM季度市場監(jiān)測 - 2021年第2季度》，Yole Développement
《NAND季度市場監(jiān)測 - 2021年第2季度》,Yole Développement
從長期來看，DRAM和NAND的收益預(yù)期將分別以15%和8%的CAGR20-26增長至1510億美元（DRAM）和860億美元（NAND）。在同一時期，在技術(shù)規(guī)模化帶來的單位比特成本降低的推動下，DRAM和NAND的ASP2 預(yù)期將下降約5%和16%。
Yole對顛復(fù)性的存儲器技術(shù)及相關(guān)市場進(jìn)行深入調(diào)查，從而指明最新的創(chuàng)新技術(shù)并突出重要商機(jī)。
該公司的存儲器團(tuán)隊(duì)一段時期以來一直在關(guān)注內(nèi)存行業(yè)。Yole提供報告和季度市場監(jiān)測這兩類分析，為您帶來對市場演變、技術(shù)趨勢以及領(lǐng)先存儲器公司市場定位和戰(zhàn)略的深入理解。
Yole宣布發(fā)布《2021版存儲器產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀報告》。它帶來了對存儲器生態(tài)系統(tǒng)的深入理解和關(guān)鍵技術(shù)見解。新版報告分析了未來的技術(shù)趨勢和挑戰(zhàn)。這份研究報告包括市場趨勢與預(yù)測、供應(yīng)鏈、技術(shù)趨勢、技術(shù)洞見與分析、要點(diǎn)總結(jié)和展望，此外還帶來了對產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和主要競爭企業(yè)戰(zhàn)略的深入分析。
此外，存儲器分析師們?nèi)瓿掷m(xù)關(guān)注每季度的市場演變，并編寫Yole的 《NAND季度市場監(jiān)測和DRAM季度市場監(jiān)測》報告。這兩項(xiàng)檢測報告都在每年的3月初（第1季度）、6月（第2季度）、9月（第3季度）和12月（第4季度）更新并發(fā)布。
之所以提供這些服務(wù)，主要是為了深入介紹快速變化的市場動態(tài)和主要競爭企業(yè)的態(tài)勢和戰(zhàn)略。
存儲器產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀如何？有哪些經(jīng)濟(jì)和技術(shù)挑戰(zhàn)？對于NAND和DRAM，各個細(xì)分市場的關(guān)鍵驅(qū)動因素是什么？有哪些值得關(guān)注的競爭企業(yè)，他們正致力于開發(fā)什么創(chuàng)新技術(shù)？
Yole分享了其對存儲器產(chǎn)業(yè)的見解與展望。
Yole的存儲器分析師們宣稱，存儲器-處理器接口是克服”存儲器墻“的關(guān)鍵。CXL和DDR5將帶來新的一波數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用……
處理器-內(nèi)存接口正在快速發(fā)展，以滿足數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用不斷增長的性能需求，目前此類應(yīng)用的發(fā)展因所謂”存儲器墻“而受阻，這是一種與存儲器和處理單元之間的數(shù)據(jù)傳輸相關(guān)的帶寬限制。
DDR5 DRAM是最新更新的DDR4標(biāo)準(zhǔn)，與DDR4相比，它將顯著提升性能。這項(xiàng)新規(guī)范能帶來更低的電壓，并將PMIC5移至存儲模塊。它將最大數(shù)據(jù)速率提高一倍，且令芯片密度提高4倍（高達(dá)64Gb）。
DR5存儲器的生產(chǎn)現(xiàn)已蓄勢待發(fā)，所有領(lǐng)先DRAM制造商都已經(jīng)完成了自己的主流DDR5產(chǎn)品設(shè)計：
? SK海力士半導(dǎo)體宣布，他們已做好準(zhǔn)備開始向模塊制造商發(fā)貨DDR5存儲器。
? 美光宣布對基于1znm工藝的DDR5存儲器進(jìn)行抽樣，該產(chǎn)品專門針對用于服務(wù)器的RDIMM。
?
? 英特爾即將推出的服務(wù)器CPU將使用DDR5存儲器標(biāo)準(zhǔn)。
? 至于AMD，預(yù)期該公司將在今年晚些時候推出自己的平臺。
除了DDR之外，目前還有各種新型開放接口和協(xié)議處在開發(fā)階段：CXL、Gen-Z、OpenCAPI、CCIX。其中，CXL正在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用領(lǐng)域取得進(jìn)展，它在在容量和密度方面為連接大容量DRAM和3D XPoint這樣的SCM技術(shù)提供了一種恰到好處的方式。
下載鏈接：
實(shí)現(xiàn)PCI Express 5.0和CXL設(shè)計的最大吞吐量和最低延
Hyperion_Research：CXL and Gen-Z Consortiums Combine Forces
《1、半導(dǎo)體行業(yè)存儲器技術(shù)研究》
《2、存儲器結(jié)構(gòu)性分道篇－重內(nèi)存》
物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)技術(shù)匯總（上）
物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)技術(shù)匯總（下）
1、2021中國AIoT產(chǎn)業(yè)全景圖譜報告.pdf
2、AIoT操作系統(tǒng)的實(shí)踐與反思.pdf
3、深度報告：AIoT芯片研究框架.pdf
1、物聯(lián)網(wǎng)系列報告：AIoT芯片投資賽道解析.pdf
2、面向AIOT應(yīng)用的邊緣智能優(yōu)化技術(shù).pdf
3、2021全球AIoT開發(fā)者生態(tài)白皮書.pdf
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