臺積電今明兩年將在臺灣建11座晶圓廠

7月4日消息，由于全球通膨加劇，手機(jī)與PC等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求疲弱，近期業(yè)內(nèi)傳出臺積電三大客戶紛紛下修訂單的消息，由此外界也開始擔(dān)憂市場供需情況的變化，將會影響臺積電等晶圓代工廠的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。

根據(jù)臺積電近期公布的信息顯示，除了位于美國亞利桑那州、中國大陸南京、日本熊本等3座12吋晶圓廠已開始興建之外，今明兩年還將在中國臺灣興建11座晶圓廠。

其中，位于南科Fab 18廠區(qū)的P5～P9廠等共5座12吋廠興建計(jì)劃已啟動，將成為臺積電3nm主要生產(chǎn)重鎮(zhèn)。為2nm量身打造的Fab 20廠區(qū)確定落腳竹科的寶山園區(qū)，包括P1～P3廠等共3座12吋廠會在明年前啟動建廠，P4廠預(yù)期2024年之后開始興建。

臺積電高雄Fab 22廠區(qū)將興建P1～P2廠，將生產(chǎn)28nm及7nm制程，投資建廠計(jì)劃如期進(jìn)行，2024年量產(chǎn)預(yù)估不變。至于南科Fab 14廠區(qū)P8廠亦開始建廠，將支持特殊成熟制程。臺積電持續(xù)看好5G及高效能運(yùn)算（HPC）大趨勢，竹南AP6封裝廠將擴(kuò)建以支援3DIC先進(jìn)封裝需求。

對于市場擔(dān)心若下半年到明年市場需求低迷，臺積電恐面臨產(chǎn)能過剩壓力。對此，臺積電認(rèn)為，客戶端在7nm及更先進(jìn)制程的新芯片設(shè)計(jì)定案（New Tape-Outs，NTOs）大幅增加，會為明、后兩年的大幅成長增添新動能。

臺積電在上周的技術(shù)論壇上透露，以7nm（N7）及同一世代的6nm（N6）制程來說，自2017～2018年量產(chǎn)初期主要以智能手機(jī)芯片、中央處理器（CPU）、繪圖處理器（GPU）等應(yīng)用為主，但到今年產(chǎn)品組合已擴(kuò)展至人工智能（AI）及高速網(wǎng)絡(luò)、射頻元件、消費(fèi)及車用芯片等，至今年底NTOs案量將超過400案。

另外，在制程工藝方面，臺積電今年下半年將量產(chǎn)3nm（N3）制程將，明年下半年會推出優(yōu)化后的N3E制程。臺積電在技術(shù)論壇中指出，N3E制程將支持智能手機(jī)及HPC兩大平臺，與N5制程相較，在同一功耗上性能提升15～20%，在同一性能上功耗降低30～35％，邏輯晶體管密度達(dá)1.6倍，芯片密度提升約達(dá)1.3倍，明顯優(yōu)于競爭對手，是業(yè)界最先進(jìn)制程，有望吸引更多客戶開案。

基于此，臺積電今年資本支出400～440億美元創(chuàng)下新高，預(yù)期明年資本支出維持400億美元以上，去年啟動的3年大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃總投資金額將超過原訂的1,000億美元規(guī)模。臺積電擴(kuò)產(chǎn)主力仍以先進(jìn)制程為主，2018～2022年的7nm及更先進(jìn)制程產(chǎn)能年復(fù)合成長率（CAGR）高達(dá)70%，且2022年5nm產(chǎn)能已達(dá)2020年量產(chǎn)第一年的四倍。

為了解決車用及工控等芯片產(chǎn)能短缺問題，臺積電今年投入高壓及電源管理IC、MEMS及CMOS圖像傳感器、嵌入式存儲（eFlash）等特殊成熟制程擴(kuò)產(chǎn)的資本支出，已達(dá)過去三年平均支出的3.5倍，不僅今年特殊成熟制程產(chǎn)能會較去年增加14%，占整體成熟制程比重亦將提升到63%。

編輯：芯智訊-林子   來源：綜合自工商時報(bào)