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          超能裝!臺(tái)積電第5代最新封裝技術(shù)路線圖公布

          共 2494字,需瀏覽 5分鐘

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          2021-08-28 22:40



            新智元報(bào)道  

          來(lái)源:Hardware Info

          編輯:Priscilla

          【新智元導(dǎo)讀】近日,Hot Chip 33大會(huì)在線上舉行,臺(tái)積電在會(huì)上介紹了自家封裝技術(shù)路線圖。第5代CoWoS封裝技術(shù)將于今年晚些時(shí)候問(wèn)世,擁有8個(gè)HBM2e堆棧的空間,容量高達(dá)128 GB,比第3代技術(shù)多存儲(chǔ)20倍晶體管,預(yù)計(jì)2023年發(fā)布第6代CoWoS。


          臺(tái)積電介紹最先進(jìn)的封裝技術(shù)路線圖:存儲(chǔ)的晶體管再多20倍!
           
          2023年發(fā)布第六代CoWoS!
           
           
          近日,臺(tái)積電在Hot Chips 33大會(huì)上宣布推出「2.5D」晶片技術(shù)
           
          第五代CoWoS封裝技術(shù)將在今年晚些時(shí)候問(wèn)世,與第三代封裝技術(shù)相比,有望能夠多存儲(chǔ)20倍晶體管
           
           
          臺(tái)積電的半導(dǎo)體技術(shù)在業(yè)內(nèi)遙遙領(lǐng)先,在先進(jìn)芯片封裝技術(shù)方面同樣取得了快速進(jìn)展。
           
          過(guò)去十年,臺(tái)積電已經(jīng)推出五代不同的基板上芯片封裝工藝,涵蓋了消費(fèi)級(jí)與服務(wù)器芯片領(lǐng)域。
           

          臺(tái)積電CoWoS封裝技術(shù)


          自2011年來(lái),臺(tái)積電就發(fā)布了第一代各部件的堆疊。
           
          短短十年內(nèi),臺(tái)積電就已經(jīng)發(fā)布了五代CoWoS。
           
          截至2019年8月,臺(tái)積電CoWoS已經(jīng)有60多種產(chǎn)品流片正在生產(chǎn)或開(kāi)發(fā)中。
           
           
          最新一代封裝技術(shù)的目標(biāo)總結(jié)為四個(gè)字:節(jié)省空間,也就是在一個(gè)封裝中處理盡可能多的芯片。
           
          新封裝技術(shù)增加3倍多中介層面積8個(gè)HBM2e堆棧的空間容量高達(dá)128 GB
           
           
          此外,新封裝技術(shù)還使用了全新的硅通孔(TSV)解決方案,實(shí)現(xiàn)厚CU互連。
           
          初代CoWoS封裝技術(shù)是基于凝膠的熱風(fēng)化(Gel TIM),與之相比,臺(tái)積電提供了最新的SOC散熱解決方案
           
          以Metal TIM的形式,將封裝熱阻降低到初代的0.15倍
           
           
          臺(tái)積電的第六代CoWoS封裝技術(shù)預(yù)計(jì)將在2023年發(fā)布。
           
          目前對(duì)于第六代技術(shù)知之甚少,只能確定第六代技術(shù)將會(huì)在同一封裝內(nèi)容納多達(dá)8組HBM3內(nèi)存和2組計(jì)算芯片。
           
           

          第5代CoWoS封裝工藝的應(yīng)用


          目前最讓人期待的就是臺(tái)積電第5代CoWoS封裝工藝在AMD MI200 Aldebaran GPU上的應(yīng)用。
           
          AMD在第2季度財(cái)報(bào)中就披露了MI200 Aldebaran GPU的初始出貨量。
           
           
          MI200 Aldebaran GPU擁有第二代CDNA架構(gòu),率先用上了多芯片(MCM)GPU核心設(shè)計(jì),超過(guò)16000個(gè)內(nèi)核,能提供高達(dá)256個(gè)計(jì)算單元(CU)128GB的HBM2E緩存
           
          內(nèi)部分為主、副兩個(gè)芯片,兩者都由8個(gè)著色器(SE)組成,共計(jì)16個(gè)SE。
           
          每個(gè)芯片擁有128 CU/8192個(gè)流處理器,總計(jì)256 CU/16384個(gè)流處理器,輔以新的XGMI互聯(lián)設(shè)計(jì),且每個(gè)小芯片都具有VCN 2.6引擎/主IO控制器。
           
          作為首款用上MCM GPU設(shè)計(jì)的芯片,Instinct MI200將直接對(duì)標(biāo)英特爾7nm Ponte Vecchio和英偉達(dá)Ampere新品。
           
           
          此外,英偉達(dá)的Hopper GPU也使用了MCM小芯片架構(gòu),同樣可能會(huì)交由臺(tái)積電代工,預(yù)計(jì)將在2022年上市。
           
          AMD CNDA 3(MI300)和英偉達(dá)Ampere的下下一代,都有望采用臺(tái)積電的N3工藝節(jié)點(diǎn)
           

          7nm工藝搭建出千核處理器


          Esperanto Technologies是一家舊金山的初創(chuàng)公司,同樣參加了今年的HotChips 33展示會(huì)。
           
          該公司在會(huì)上展示了代號(hào)為「ET-SoC-1」的最新處理器,是首批千核處理器之一
           
           
          這個(gè)處理器有1088個(gè)更小尺寸、低功耗的ET-Minion 64位RISC-V內(nèi)核,可以并行運(yùn)行,輕松執(zhí)行工作負(fù)載,希望成為最高性能的商用RISC-V芯片。
           
          為了滿足大型數(shù)據(jù)中心高性能、低功耗的要求,Esperanto芯片用低于20瓦的功率運(yùn)行,適應(yīng)系統(tǒng)功率限制。是一種通用的并行處理解決方案,可以加速許多可并行化的工作負(fù)載。
           
          為了配合小內(nèi)核,Esperanto封裝了額外4個(gè)高性能ET-Maxion 64位RISC-V 內(nèi)核。較小的內(nèi)核是按順序執(zhí)行設(shè)計(jì),而較大的內(nèi)核是為亂序執(zhí)行設(shè)計(jì)的。
           
          整個(gè)芯片在臺(tái)積電的工廠中使用7nm制造節(jié)點(diǎn)進(jìn)行流片。
           
           
          ET-SoC-1設(shè)計(jì)了超過(guò)1.6億字節(jié)的片上SRAM,分為L1緩存和暫存器存儲(chǔ)器
           
          它支持PCIe Gen4、256位寬(四通道)LPDDR4x內(nèi)存,并具有用于安全啟動(dòng)、系統(tǒng)管理和計(jì)時(shí)器的 RISC-V 服務(wù)處理器。
           
          所有這些都封裝在一個(gè)570平方毫米的芯片中,其中包含225億個(gè)晶體管
           
           
          在常規(guī)操作中,它的使用功率低于20瓦,可以針對(duì)10-60瓦的工作負(fù)載進(jìn)行軟件配置。



          參考資料:

          https://www.esperanto.ai/esperanto-technologies-unveils-energy-efficient-risc-v-based-machine-learning-accelerator-chip-at-hot-chips-33-conference/

          https://nl.hardware.info/nieuws/78166/hot-chips-tsmc-stopt-20-keer-zoveel-transistoren-in-de-nieuwste-generatie-cowos




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