Intel 4工藝進(jìn)展順利：每瓦性能提升20%，明年下半年量產(chǎn)

10月底，英特爾發(fā)布的12代酷睿不僅采用了全新的“大小核”架構(gòu)，制程工藝也升級(jí)到了Intel 7（之前的10nm SuperFin工藝，相當(dāng)于臺(tái)積電7nm工藝）。根據(jù)英特爾的規(guī)劃，明年下半年將會(huì)量產(chǎn)全新的Intel 4工藝（英特爾之前已多次跳票的7nm工藝，相當(dāng)于臺(tái)積電4nm工藝）。

根據(jù)英特爾之前公布的信息顯示，與Intel 7相比，Intel 4的每瓦性能提高了約20% ，同時(shí)它也將是首個(gè)完全采用EUV光刻技術(shù)的英特爾FinFET節(jié)點(diǎn)。此前臺(tái)積電的7nm EUV工藝也只是少部分環(huán)節(jié)采用了EUV工藝。

近日英特爾再次曝光了其Intel 4 EUV工藝的最新進(jìn)展。根據(jù)官方放出的48秒視頻展示了基于該工藝生產(chǎn)的晶圓的測(cè)試過(guò)程，最后的測(cè)試結(jié)果顯示，整個(gè)晶圓上的芯片幾乎通過(guò)了所有測(cè)試，內(nèi)部的SRAM、邏輯單元、模擬單元都符合規(guī)范，芯片很“健康”。這也意味著Intel 4工藝進(jìn)展順利，良率已經(jīng)達(dá)到了較高的水平。

Intel沒(méi)有公布這個(gè)晶圓的具體情況，不過(guò)結(jié)合之前的信息來(lái)看，這個(gè)測(cè)試的晶圓應(yīng)該是14代酷睿Meteor Lake，已經(jīng)在今年第二季度完成計(jì)算單元的流片，現(xiàn)在測(cè)試非常合理。

編輯：芯智訊-林子